Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Small Signal Dual Channel MOSFETs

ROHM Semiconductor Small Signal Dual Channel MOSFETs feature low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are RoHS compliant and include Pb-free plating. The dual channel MOSFETs operate from -55°C to 150°C temperature range. These MOSFETs are used in motor drives and switching applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 12

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WLCSP 2NCH 30V 20A

AW2K21AR
ROHM Semiconductor
1: $ 4.881,24
2.601En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
AW2K21AR

N.º de artículo de Mouser
755-AW2K21AR

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WLCSP 2NCH 30V 20A

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Hoja de datos

2.601En existencias

Cinta cortada

$ 4.881,24

$ 3.177,72

$ 2.194,92

$ 1.834,56

$ 1.752,66

Envase tipo carrete

$ 1.703,52

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

WLCSP-22

N-Channel

2 Channel

30 V

20 A

3 mOhms

- 2 V, 10 V

2 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 150V DUAL 18.5A

HP8KF7HTB1
ROHM Semiconductor
1: $ 6.191,64
2.229En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
HP8KF7HTB1

N.º de artículo de Mouser
755-HP8KF7HTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 150V DUAL 18.5A

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Hoja de datos

2.229En existencias

Cinta cortada

$ 6.191,64

$ 4.062,24

$ 2.850,12

$ 2.522,52

$ 2.391,48

Envase tipo carrete

$ 2.358,72

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

2 Channel

150 V

18.5 A

62 mOhms

24 V

4 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V DUAL 7.A

HT8KF6HTB1
ROHM Semiconductor
1: $ 3.734,64
2.400En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
HT8KF6HTB1

N.º de artículo de Mouser
755-HT8KF6HTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V DUAL 7.A

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2.400En existencias

Cinta cortada

$ 3.734,64

$ 2.407,86

$ 1.631,45

$ 1.303,85

$ 1.228,50

Envase tipo carrete

$ 1.179,36

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

2 Channel

150 V

7 A

214 mOhms

20 V

4 V

6.4 nC

- 55 C

+ 150 C

14 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 NPCH 40V 12A

HT8MB5TB1
ROHM Semiconductor
1: $ 3.128,58
2.691En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
HT8MB5TB1

N.º de artículo de Mouser
755-HT8MB5TB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 NPCH 40V 12A

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Cinta cortada

$ 3.128,58

$ 1.998,36

$ 1.339,88

$ 1.063,06

$ 986,08

Envase tipo carrete

$ 920,56

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

40 V, 40 V

12 A, 15 A

47 mOhms, 56 mOhms

20 V, 20 V

2.5 V, 2.5 V

3.5 nC, 16.7 nC

- 55 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 NPCH 60V 10A

HT8MC5TB1
ROHM Semiconductor
1: $ 3.128,58
2.678En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
HT8MC5TB1

N.º de artículo de Mouser
755-HT8MC5TB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 NPCH 60V 10A

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Cinta cortada

$ 3.128,58

$ 1.998,36

$ 1.339,88

$ 1.063,06

$ 986,08

Envase tipo carrete

$ 920,56

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

60 V, 60 V

10 A, 11.5 A

90 mOhms, 109 mOhms

20 V, 20 V

2.5 V, 2.5 V

3.1 nC, 17.1 nC

- 55 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V N CH 3.5A

R8011KNZ4C13
ROHM Semiconductor
1: $ 13.022,10
600En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
R8011KNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R8011KNZ4C13

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V N CH 3.5A

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Hoja de datos

600En existencias

$ 13.022,10

$ 8.992,62

$ 6.945,12

$ 6.486,48

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247G-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

450 mOhms

30 V

4.5 V

37 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V N CH 19A

R8019KNZ4C13
ROHM Semiconductor
1: $ 16.412,76
600En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
R8019KNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R8019KNZ4C13

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V N CH 19A

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Hoja de datos

600En existencias

$ 16.412,76

$ 11.466,00

$ 8.796,06

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247G-3

N-Channel

1 Channel

800 V

19 A

265 mOhms

30 V

4.5 V

65 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 30V 155A

RS6E122BGTB1
ROHM Semiconductor
1: $ 4.668,30
2.000En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RS6E122BGTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS6E122BGTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 30V 155A

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Hoja de datos

2.000En existencias

Cinta cortada

$ 4.668,30

$ 3.030,30

$ 2.096,64

$ 1.719,90

$ 1.654,38

Envase tipo carrete

$ 1.598,69

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

155 A

2.16 mOhms

20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 NPCH 80V 3.5A

HT8MD5HTB1
ROHM Semiconductor
1: $ 3.177,72
2.400En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
HT8MD5HTB1

N.º de artículo de Mouser
755-HT8MD5HTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 NPCH 80V 3.5A

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Hoja de datos

2.400En existencias

Cinta cortada

$ 3.177,72

$ 2.031,12

$ 1.367,73

$ 1.084,36

$ 992,63

Envase tipo carrete

$ 943,49

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

80 V, 80 V

9 A, 8.5 A

112 mOhms, 191 mOhms

20 V, 20 V

4 V, 4 V

3.1 nC, 17.2 nC

- 55 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 80V 30A

RD3N03BATTL1
ROHM Semiconductor
1: $ 3.669,12
1.743En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RD3N03BATTL1

N.º de artículo de Mouser
755-RD3N03BATTL1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 80V 30A

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Hoja de datos

1.743En existencias

Cinta cortada

$ 3.669,12

$ 2.358,72

$ 1.601,96

$ 1.279,28

$ 1.210,48

Envase tipo carrete

$ 1.151,51

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

TO-252-3

P-Channel

1 Channel

80 V

30 A

64 mOhms

20 V

4 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

54 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 80V 4.5A

RD3N045ATTL1
ROHM Semiconductor
1: $ 2.506,14
2.250En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RD3N045ATTL1

N.º de artículo de Mouser
755-RD3N045ATTL1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 80V 4.5A

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2.250En existencias

Cinta cortada

$ 2.506,14

$ 1.580,67

$ 1.053,23

$ 827,19

$ 753,48

Envase tipo carrete

$ 676,49

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

TO-252-3

P-Channel

1 Channel

80 V

4.5 A

750 mOhms

20 V

4 V

5.9 nC

- 55 C

+ 150 C

17 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 NPCH 80V 3A

SH8MD5HTB1
ROHM Semiconductor
1: $ 2.686,32
2.500Se espera el 17/4/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SH8MD5HTB1

N.º de artículo de Mouser
755-SH8MD5HTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 NPCH 80V 3A

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Hoja de datos

2.500Se espera el 17/4/2026

Cinta cortada

$ 2.686,32

$ 1.703,52

$ 1.136,77

$ 895,99

$ 817,36

Envase tipo carrete

$ 746,93

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

80 V, 80 V

3.5 A, 3 A

116 mOhms, 193 mOhms

20 V, 20 V

4 V, 4 V

3.1 nC, 17.4 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Small Signal Dual Channel MOSFETs

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