Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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N-Channel 60V/100V (D-S) MOSFET PowerPAK

Vishay N-Channel 60V and 100V (D-S) MOSFETs feature TrenchFET^® Gen IV technology, low on-resistance, and extremely low thermal resistance. These devices also feature a very low gate charge and output charge, reducing power loss and improving efficiency. The compact 6.15mm x 5.13mm PowerPAK^® SO-8 package offers a space-saving alternative to conventional TO-220 and TO-263 solutions.

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Resultados: 12

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 150V 90.9A N-CH MOSFET

SIDR570EP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: $ 6.568,38
5.090En existencias

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SIDR570EP-T1-RE3

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78-SIDR570EP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 150V 90.9A N-CH MOSFET

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Cinta cortada

$ 6.568,38

$ 4.324,32

$ 3.046,68

$ 2.735,46

$ 2.473,38

Envase tipo carrete

$ 2.211,30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

150 V

90.9 A

7.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

35.1 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100 V

SIR104LDP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: $ 3.390,66
19.106En existencias

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SIR104LDP-T1-RE3

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78-SIR104LDP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100 V

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19.106En existencias

Cinta cortada

$ 3.390,66

$ 2.358,72

$ 1.611,79

$ 1.289,11

Envase tipo carrete

$ 1.051,60

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

81 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Enhancement

PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100 V

SIDR104ADP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: $ 4.782,96
2.498En existencias

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SIDR104ADP-T1-RE3

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78-SIDR104ADP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100 V

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Cinta cortada

$ 4.782,96

$ 3.407,04

$ 2.440,62

$ 2.080,26

$ 1.916,46

Envase tipo carrete

$ 1.687,14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

81 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

46.1 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80 V

SIJ128LDP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: $ 3.521,70
7.004En existencias

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SIJ128LDP-T1-GE3

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78-SIJ128LDP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80 V

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$ 3.521,70

$ 2.260,44

$ 1.528,25

$ 1.218,67

$ 1.141,69

Envase tipo carrete

$ 950,04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

25.5 A

15.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

22.3 W

Enhancement

PowerPAK

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

SIJ4406DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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SIJ4406DP-T1-GE3

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78-SIJ4406DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

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$ 2.571,66

$ 1.629,81

$ 1.087,63

$ 891,07

Envase tipo carrete

$ 717,44

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

78 A

4.75 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

23.7 nC

- 55 C

+ 150 C

41.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 40V 78A

SIR4406DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo del Fabricante
SIR4406DP-T1-GE3

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78-SIR4406DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 40V 78A

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$ 1.390,66

$ 920,56

$ 756,76

Envase tipo carrete

$ 599,51

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Carrete: 3.000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

78 A

4.75 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

23.7 nC

- 55 C

+ 150 C

41.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET

SIR5712DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: $ 2.948,40
10.487En existencias

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SIR5712DP-T1-GE3

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78-SIR5712DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET

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Envase tipo carrete

$ 820,64

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Mult.: 1

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SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

150 V

18 A

55.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

7.5 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 30V 94A

SIDR500EP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
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3.463En existencias
15.000En pedido

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SIDR500EP-T1-RE3

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78-SIDR500EP-T1-RE3

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$ 7.223,58

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$ 3.112,20

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$ 2.620,80

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Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

421 A

470 uOhms

- 12 V, 16 V

2.2 V

54.3 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 148A N-CH MOSFET

SIDR510EP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo del Fabricante
SIDR510EP-T1-RE3

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78-SIDR510EP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 148A N-CH MOSFET

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$ 2.800,98

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Envase tipo carrete

$ 2.014,74

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Mult.: 1

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SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

148 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 60-V

SIR626ADP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: $ 4.586,40
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SIR626ADP-T1-RE3

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78-SIR626ADP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 60-V

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Cinta cortada

$ 4.586,40

$ 2.964,78

$ 2.047,50

$ 1.670,76

$ 1.598,69

Envase tipo carrete

$ 1.362,82

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

60 V

165 A

1.75 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100 V

SIR870BDP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: $ 3.570,84
1.405En existencias

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SIR870BDP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR870BDP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100 V

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$ 2.620,80

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$ 1.719,90

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$ 1.454,54

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

81 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Enhancement

PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60 V

SIJ462ADP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: $ 2.653,56
9.576En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SIJ462ADP-T1-GE3

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78-SIJ462ADP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60 V

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$ 2.653,56

$ 2.096,64

$ 1.413,59

$ 1.123,67

Envase tipo carrete

$ 909,09

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

60 V

39.3 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

19.8 nC

- 55 C

+ 150 C

22.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

N-Channel 60V/100V (D-S) MOSFET PowerPAK

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