Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

HP8K/HT8K Dual Channel Enhancement Mode MOSFETs

ROHM Semiconductor HP8K/HT8K Dual Channel Enhancement Mode MOSFETs offer dual N-channel or N-channel/P-channel transistor polarity. The HP8K and HT8K MOSFETs are available in small, surface-mount HSMT8 and HSOP8 backside heat-dissipating dual packages that provide low on-resistances and energy savings. Applications include single-/three-phase brushless motor drives or switching operations.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 2NCH 40V 8A

HT8KB6TB1
ROHM Semiconductor
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HT8KB6TB1

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755-HT8KB6TB1

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ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 2NCH 40V 8A

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$ 1.012,28

Envase tipo carrete

$ 963,14

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

2 Channel

40 V

15 A

17.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10.6 nC

- 55 C

+ 150 C

14 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 100V 12.5A N CHAN

HT8KE6HTB1
ROHM Semiconductor
1: $ 3.767,40
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HT8KE6HTB1

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755-HT8KE6HTB1

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ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 100V 12.5A N CHAN

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$ 1.670,76

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$ 1.231,78

Envase tipo carrete

$ 1.046,68

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

2 Channel

100 V

12.5 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

6.3 nC

- 55 C

+ 150 C

14 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

HP8KB6TB1
ROHM Semiconductor
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Envase tipo carrete

$ 1.166,26

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

2 Channel

40 V

24 A

15.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

21 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

HP8KB7TB1
ROHM Semiconductor
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Envase tipo carrete

$ 2.096,64

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

2 Channel

40 V

24 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 23A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

HP8KC6TB1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 23A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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$ 1.235,05

Envase tipo carrete

$ 1.171,17

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

2 Channel

60 V

23 A

27 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

7.6 nC

- 55 C

+ 150 C

21 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

HP8KC7TB1
ROHM Semiconductor
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HP8KC7TB1

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755-HP8KC7TB1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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Envase tipo carrete

$ 2.096,64

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

2 Channel

60 V

24 A

11.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

HP8KE6TB1
ROHM Semiconductor
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HP8KE6TB1

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755-HP8KE6TB1

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$ 1.239,97

Envase tipo carrete

$ 1.192,46

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

2 Channel

100 V

17 A

54 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6.7 nC

- 55 C

+ 150 C

21 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

HP8KE7TB1
ROHM Semiconductor
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HP8KE7TB1

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755-HP8KE7TB1

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$ 2.686,32

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Envase tipo carrete

$ 2.178,54

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

2 Channel

100 V

24 A

19.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

19.8 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 16.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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ROHM Semiconductor
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HP8MB5TB1

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755-HP8MB5TB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 16.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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Cinta cortada

$ 3.243,24

$ 2.063,88

$ 1.393,94

$ 1.107,29

$ 1.017,20

Envase tipo carrete

$ 966,42

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

60 V

16.5 A, 18 A

46 mOhms, 44 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

3.5 nC, 17.2 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 12A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

HP8MC5TB1
ROHM Semiconductor
1: $ 3.243,24
4.796En existencias

N.º de artículo del Fabricante
HP8MC5TB1

N.º de artículo de Mouser
755-HP8MC5TB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 12A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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4.796En existencias

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$ 3.243,24

$ 2.063,88

$ 1.393,94

$ 1.107,29

$ 1.017,20

Envase tipo carrete

$ 966,42

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

60 V

12 A

90 mOhms, 96 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

3.1 nC, 17.3 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 8.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8ME5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

HP8ME5TB1
ROHM Semiconductor
1: $ 3.259,62
10.423En existencias

N.º de artículo del Fabricante
HP8ME5TB1

N.º de artículo de Mouser
755-HP8ME5TB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 8.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8ME5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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10.423En existencias

Cinta cortada

$ 3.259,62

$ 2.080,26

$ 1.402,13

$ 1.113,84

$ 1.023,75

Envase tipo carrete

$ 974,61

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

100 V

8.5 A, 8 A

193 mOhms, 273 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

2.9 nC, 19.7 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

HT8KB5TB1
ROHM Semiconductor
1: $ 2.555,28
9.000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
HT8KB5TB1

N.º de artículo de Mouser
755-HT8KB5TB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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9.000En existencias

Cinta cortada

$ 2.555,28

$ 1.611,79

$ 1.076,17

$ 845,21

$ 771,50

Envase tipo carrete

$ 696,15

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

2 Channel

40 V

12 A

47 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

3.5 nC

- 55 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 10A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

HT8KC5TB1
ROHM Semiconductor
1: $ 2.571,66
6.782En existencias

N.º de artículo del Fabricante
HT8KC5TB1

N.º de artículo de Mouser
755-HT8KC5TB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 10A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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Hoja de datos

6.782En existencias

Cinta cortada

$ 2.571,66

$ 1.619,98

$ 1.081,08

$ 850,12

Envase tipo carrete

$ 704,34

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

2 Channel

60 V

10 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

3.1 nC

- 55 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 15A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

HT8KC6TB1
ROHM Semiconductor
1: $ 3.472,56
3.755En existencias

N.º de artículo del Fabricante
HT8KC6TB1

N.º de artículo de Mouser
755-HT8KC6TB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 15A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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Hoja de datos

3.755En existencias

Cinta cortada

$ 3.472,56

$ 2.227,68

$ 1.502,05

$ 1.195,74

$ 1.117,12

Envase tipo carrete

$ 1.063,06

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

2 Channel

60 V

15 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

7.6 nC

- 55 C

+ 150 C

14 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

HT8KE5TB1
ROHM Semiconductor
1: $ 2.588,04
5.978En existencias

N.º de artículo del Fabricante
HT8KE5TB1

N.º de artículo de Mouser
755-HT8KE5TB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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Hoja de datos

5.978En existencias

Cinta cortada

$ 2.588,04

$ 1.628,17

$ 1.085,99

$ 856,67

Envase tipo carrete

$ 714,17

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

2 Channel

100 V

7 A

193 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 13A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

HT8KE6TB1
ROHM Semiconductor
1: $ 3.636,36
225En existencias
6.000Se espera el 21/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
HT8KE6TB1

N.º de artículo de Mouser
755-HT8KE6TB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 13A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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225En existencias

6.000Se espera el 21/5/2026

Cinta cortada

$ 3.636,36

$ 2.325,96

$ 1.595,41

$ 1.318,59

$ 1.181,00

Envase tipo carrete

$ 1.102,37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

2 Channel

100 V

13 A

57 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6.7 nC

- 55 C

+ 150 C

14 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

HP8K/HT8K Dual Channel Enhancement Mode MOSFETs

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