MDmesh K5 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh K5 series are very-high voltage MOSFETs with super-junction, industry's best RDS(on), and figure of merit for increased power density and efficiency. Typical applications include LED lighting, metering, solar inverters, 3-phase auxiliary power supplies, welding, and automotive battery management.

Resultados: 140
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5 2.614En existencias
$ 12.040,74
$ 6.472,77
$ 5.915,97
$ 5.359,17
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Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 330 mOhms 30 V 3 V 48 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5 1.718En existencias
$ 14.459,33
$ 7.829,96
$ 7.186,16
$ 6.629,37
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 18.5 A 299 mOhms 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5 869En existencias
$ 11.797,14
$ 6.263,97
$ 5.741,97
$ 5.237,37
$ 5.063,37
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 19.5 A 260 mOhms 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 40 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package 394En existencias
$ 30.554,25
$ 17.678,31
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 40 A 88 mOhms 30 V 3 V 89 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package 1.577En existencias
$ 6.368,37
$ 3.201,58
$ 2.905,79
$ 2.157,59
$ 2.122,79
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 6 A 910 mOhms 30 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package 1.270En existencias
$ 6.855,57
$ 3.375,58
$ 3.062,38
$ 2.470,79
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 7 A 720 mOhms 30 V 3 V 17.7 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package 1.784En existencias
$ 8.160,56
$ 4.088,98
$ 3.723,58
$ 3.131,98
$ 3.079,78
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 8 A 680 mOhms 30 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm typ MDmesh K5 14A 634En existencias
Cinta cortada
$ 10.718,35
$ 5.637,57
$ 5.150,37
$ 4.715,38
Envase tipo carrete
$ 4.454,38
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 14 A 300 mOhms 30 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5 1.249En existencias
Cinta cortada
$ 10.927,15
$ 5.759,37
$ 5.272,17
$ 4.837,18
Envase tipo carrete
$ 4.558,78
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 19.5 A 260 mOhms 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect 1.952En existencias
$ 7.534,16
$ 3.845,38
$ 3.497,38
$ 2.870,99
$ 2.749,19
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 12 A 370 mOhms 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package 1.306En existencias
$ 14.215,73
$ 7.586,36
$ 6.733,77
$ 6.437,97
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 20 A 210 mOhms 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5 1.381En existencias
$ 13.711,13
$ 7.394,96
$ 6.785,97
$ 5.881,17
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 18.5 A 299 mOhms 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5 560En existencias
$ 18.130,71
$ 11.744,94
$ 10.335,55
$ 7.986,56
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 18.5 A 299 mOhms 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 38 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 long le 538En existencias
$ 22.741,69
$ 15.485,92
$ 15.398,92
$ 15.329,32
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 40 A 88 mOhms 30 V 3 V 89 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5 1.999En existencias
$ 13.763,33
$ 9.030,56
$ 7.412,36
$ 6.594,57
$ 5.898,57
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 330 mOhms 30 V 3 V 48 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte 5.125En existencias
Cinta cortada
$ 3.462,58
$ 1.658,21
$ 1.482,47
$ 1.174,49
Envase tipo carrete
$ 1.063,13
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 2.8 Ohms 30 V 4 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected 3.778En existencias
Cinta cortada
$ 4.489,18
$ 2.209,79
$ 1.983,59
$ 1.579,91
$ 1.492,91
Envase tipo carrete
$ 1.357,19
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 3.5 A 2 Ohms 30 V 4 V 12.5 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.7Ohm typ 2A Zener-protected 5.074En existencias
Cinta cortada
$ 2.453,39
$ 1.459,85
$ 1.165,79
$ 983,10
Envase tipo carrete
$ 819,54
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 3.7 Ohms 30 V 4 V 3 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected 1.525En existencias
$ 7.516,76
$ 3.932,38
$ 3.566,98
$ 2.923,19
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 8 A 800 mOhms 30 V 4 V 22 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package 4.924En existencias
$ 4.732,78
$ 2.192,39
$ 1.983,59
$ 1.666,91
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 1.5 A 8 Ohms 30 V 3 V 10 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .275Ohm 17.5A Zener-protect 485En existencias
$ 14.250,53
$ 7.812,56
$ 7.186,16
$ 6.646,77
$ 6.455,37
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 330 mOhms 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package 3.505En existencias
Cinta cortada
$ 4.489,18
$ 2.192,39
$ 1.983,59
$ 1.576,43
$ 1.503,35
Envase tipo carrete
$ 1.367,63
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 900 V 3 A 1.9 Ohms 30 V 3 V 5.3 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package 3.063En existencias
$ 3.845,38
$ 2.453,39
$ 1.644,29
$ 1.332,83
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 2.75 Ohms 30 V 3 V 2.63 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package 2.500En existencias
Cinta cortada
$ 4.854,58
$ 2.435,99
$ 2.122,79
$ 1.757,39
Envase tipo carrete
$ 1.461,59
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 4.5 A 1.6 Ohms 30 V 4 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.95 Ohm typ., 5 A, MDmesh K5 Power MOSFET in 5.586En existencias
Cinta cortada
$ 6.751,17
$ 3.410,38
$ 3.097,18
$ 2.540,39
Envase tipo carrete
$ 2.383,79
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-VHV-8 N-Channel 1 Channel 650 V 5 A 1.15 Ohms 30 V 5 V 11.7 nC - 55 C + 150 C 79 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel