Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified

SQJ980AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ980AEP-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified

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N-Channel

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17 A

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34 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified

SQJ570EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ570EP-T1_GE3

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78-SQJ570EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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+ 175 C

27 W, 27 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 80V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJB90EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 100V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJ990EP-T1_GE3
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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 40V PowerPAK

SQJB42EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJB42EP-T1_GE3

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ946EP-T1_GE3
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SQJ946EP-T1_GE3

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27 W

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TrenchFET

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SQJ200EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ200EP-T1_GE3

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SQJ202EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ202EP-T1_GE3

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

SQJB80EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJB80EP-T1_GE3

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+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQJ974EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJ974EP-T1_GE3

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78-SQJ974EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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1.5 V

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AEC-Q101

TrenchFET

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SQJ951EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJ951EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ951EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

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2 Channel

30 V

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- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJB60EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo del Fabricante
SQJB60EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJB60EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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$ 828,83

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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

30 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V -8A 27W AEC-Q101 Qualified

SQJ963EP-T1_GE3
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SQJ963EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SQJ963EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V -8A 27W AEC-Q101 Qualified

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P-Channel

2 Channel

60 V

8 A

67 mOhms, 67 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

SQJ968EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: $ 2.669,94
2.540En existencias

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SQJ968EP-T1_GE3

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78-SQJ968EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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N-Channel

2 Channel

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23.5 A

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- 20 V, 20 V

1.5 V

18.5 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQJB40EP-T1_GE3
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SQJB40EP-T1_GE3

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78-SQJB40EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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N-Channel

2 Channel

40 V

30 A

6.3 mOhms, 6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

34 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJB00EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJB00EP-T1_GE3

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78-SQJB00EP-T1_GE3

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30 A

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- 20 V, 20 V

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35 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

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AEC-Q101

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