MOSFETs de SiC – Mouser Argentina

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R008M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $ 52.563,42
1.054En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R008M2HXTMA1

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726-IMBG120R008M2HXT

Infineon Technologies

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$ 44.832,06

$ 39.213,72

Envase tipo carrete

$ 39.213,72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

189 A

7.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

195 nC

- 55 C

+ 175 C

800 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R012M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $ 36.527,40
1.189En existencias

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IMBG120R012M2HXTMA1

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726-IMBG120R012M2HXT

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Cinta cortada

$ 36.527,40

$ 29.893,50

$ 26.404,56

Envase tipo carrete

$ 26.404,56

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

144 A

12.2 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R017M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $ 27.927,90
3.648En existencias

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IMBG120R017M2HXTMA1

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Infineon Technologies

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3.648En existencias

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$ 27.927,90

$ 22.358,70

$ 19.328,40

Envase tipo carrete

$ 19.328,40

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

107 A

17.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

470 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R022M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $ 24.357,06
433En existencias

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IMBG120R022M2HXTMA1

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726-IMBG120R022M2HXT

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433En existencias

Cinta cortada

$ 24.357,06

$ 18.198,18

$ 15.724,80

$ 14.889,42

Envase tipo carrete

$ 12.645,36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

87 A

21.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $ 20.131,02
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1.900En existencias

Cinta cortada

$ 20.131,02

$ 16.380,00

$ 13.644,54

$ 12.170,34

Envase tipo carrete

$ 10.319,40

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

75 A

25.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

335 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $ 15.610,14
475En existencias

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475En existencias

Cinta cortada

$ 15.610,14

$ 11.826,36

$ 9.860,76

$ 8.779,68

Envase tipo carrete

$ 7.829,64

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

52 A

39.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

8.1 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $ 11.564,28
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IMBG120R078M2HXTMA1

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726-IMBG120R078M2HXT

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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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1.651En existencias

Cinta cortada

$ 11.564,28

$ 8.452,08

$ 6.846,84

$ 6.076,98

Envase tipo carrete

$ 5.208,84

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

29 A

78.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

20.6 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R116M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $ 9.942,66
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752En existencias

Cinta cortada

$ 9.942,66

$ 6.945,12

$ 5.618,34

$ 4.979,52

Envase tipo carrete

$ 4.275,18

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

21.2 A

115.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

14.4 nC

- 55 C

+ 175 C

123 W

Enhancement

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IMBG120R181M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $ 8.402,94
256En existencias
1.000Se espera el 5/3/2026

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IMBG120R181M2HXTMA1

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726-IMBG120R181M2HXT

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256En existencias

1.000Se espera el 5/3/2026

Cinta cortada

$ 8.402,94

$ 5.585,58

$ 4.242,42

$ 3.882,06

Envase tipo carrete

$ 3.259,62

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

14.9 A

181.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R234M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $ 7.682,22
259En existencias
5.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R234M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R234M2HXT

Infineon Technologies

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259En existencias

5.000En pedido

Cinta cortada

$ 7.682,22

$ 5.077,80

$ 3.816,54

$ 3.456,18

Envase tipo carrete

$ 2.932,02

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

8.1 A

233.9 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

80 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $ 13.628,16
9En existencias
2.000Se espera el 11/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R053M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R053M2HXT

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9En existencias

2.000Se espera el 11/6/2026

Cinta cortada

$ 13.628,16

$ 9.549,54

$ 7.731,36

$ 7.239,96

Envase tipo carrete

$ 6.289,92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

41 A

52.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

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