MOSFETs de SiC – Mouser Argentina

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R008M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $ 59.082,66
1.073En existencias
1.000Se espera el 15/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R008M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R008M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Cinta cortada

$ 59.082,66

$ 44.357,04

Envase tipo carrete

$ 44.357,04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 10

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

189 A

7.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

195 nC

- 55 C

+ 175 C

800 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R017M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $ 31.515,12
3.317En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R017M2HXTMA1

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726-IMBG120R017M2HXT

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3.317En existencias

Cinta cortada

$ 31.515,12

$ 22.456,98

$ 20.016,36

$ 19.770,66

Envase tipo carrete

$ 18.705,96

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

107 A

17.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

470 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R012M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $ 42.653,52
710En existencias

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IMBG120R012M2HXTMA1

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726-IMBG120R012M2HXT

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Cinta cortada

$ 42.653,52

$ 30.925,44

$ 29.434,86

$ 28.779,66

Envase tipo carrete

$ 27.239,94

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

144 A

12.2 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R022M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $ 26.502,84
386En existencias

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IMBG120R022M2HXTMA1

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Cinta cortada

$ 26.502,84

$ 18.689,58

$ 16.019,64

Envase tipo carrete

$ 15.151,50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

87 A

21.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $ 22.719,06
1.673En existencias

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IMBG120R026M2HXTMA1

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Cinta cortada

$ 22.719,06

$ 15.888,60

Envase tipo carrete

$ 15.888,60

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 60

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

75 A

25.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

335 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $ 17.739,54
316En existencias

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IMBG120R040M2HXTMA1

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316En existencias

Cinta cortada

$ 17.739,54

$ 12.235,86

$ 9.500,40

Envase tipo carrete

$ 8.992,62

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

52 A

39.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

8.1 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $ 12.874,68
831En existencias

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IMBG120R078M2HXTMA1

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726-IMBG120R078M2HXT

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831En existencias

Cinta cortada

$ 12.874,68

$ 8.730,54

$ 6.371,82

$ 6.224,40

Envase tipo carrete

$ 5.880,42

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

29 A

78.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

20.6 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R116M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $ 11.089,26
649En existencias

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IMBG120R116M2HXTMA1

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726-IMBG120R116M2HXT

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649En existencias

Cinta cortada

$ 11.089,26

$ 7.158,06

$ 5.389,02

$ 5.094,18

Envase tipo carrete

$ 4.815,72

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

21.2 A

115.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

14.4 nC

- 55 C

+ 175 C

123 W

Enhancement

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IMBG120R181M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $ 9.467,64
1.752En existencias

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IMBG120R181M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R181M2HXT

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1.752En existencias

Cinta cortada

$ 9.467,64

$ 6.322,68

$ 4.520,88

$ 4.127,76

Envase tipo carrete

$ 3.898,44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

14.9 A

181.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R234M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $ 8.550,36
6.769En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R234M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R234M2HXT

Infineon Technologies

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6.769En existencias

Cinta cortada

$ 8.550,36

$ 5.683,86

$ 4.045,86

$ 3.603,60

Envase tipo carrete

$ 3.587,22

$ 3.390,66

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

8.1 A

233.9 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

80 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $ 14.774,76
1.968Se espera el 9/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R053M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R053M2HXT

Infineon Technologies

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1.968Se espera el 9/7/2026

Cinta cortada

$ 14.774,76

$ 10.090,08

$ 7.469,28

Envase tipo carrete

$ 7.059,78

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

41 A

52.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

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