Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 18

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 50 A 3-Pin 2+Tab

FDD13AN06A0-F085
onsemi
1: $ 2.440,62
14.997En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDD13AN06A0-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDD13AN06A0-F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 50 A 3-Pin 2+Tab

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Hoja de datos

14.997En existencias

Cinta cortada

$ 2.440,62

$ 1.981,98

$ 1.505,32

$ 1.225,22

Envase tipo carrete

$ 994,27

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 110A, 1.6mO, D2PAK
N-Channel PowerTrench

FDB86563-F085
onsemi
1: $ 7.829,64
3.048En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDB86563-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDB86563_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 110A, 1.6mO, D2PAK<BR> N-Channel PowerTrench

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3.048En existencias

Cinta cortada

$ 7.829,64

$ 5.192,46

$ 3.685,50

$ 3.669,12

Envase tipo carrete

$ 2.817,36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-2

N-Channel

1 Channel

60 V

110 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

126 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET

FDBL86363-F085
onsemi
1: $ 7.878,78
3.971En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDBL86363-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86363_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET

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3.971En existencias

Cinta cortada

$ 7.878,78

$ 5.438,16

$ 4.144,14

$ 4.045,86

Envase tipo carrete

$ 3.423,42

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

80 V

240 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

130 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 100A, 2.6mO, DPAK
N-Channel PowerTrench

FDD86567-F085
onsemi
1: $ 5.143,32
3.175En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDD86567-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDD86567_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 100A, 2.6mO, DPAK<BR>N-Channel PowerTrench

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3.175En existencias

Cinta cortada

$ 5.143,32

$ 3.341,52

$ 2.325,96

$ 1.965,60

$ 1.867,32

Envase tipo carrete

$ 1.593,77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-Channel SuperFET II MOSFET

FCH104N60F-F085
onsemi
1: $ 10.368,54
779En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
FCH104N60F-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FCH104N60F_F085

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-Channel SuperFET II MOSFET

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779En existencias

$ 10.368,54

$ 5.962,32

$ 5.372,64

$ 5.339,88

$ 5.126,94

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

275 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

109 nC

- 55 C

+ 150 C

357 W

Enhancement

AEC-Q101

SuperFET II

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET II MOSFET

FCH077N65F-F085
onsemi
1: $ 12.334,14
892En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
FCH077N65F-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FCH077N65F_F085

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET II MOSFET

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892En existencias

$ 12.334,14

$ 9.778,86

$ 9.762,48

$ 9.385,74

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

54 A

184 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

126 nC

- 55 C

+ 150 C

481 W

Enhancement

AEC-Q101

SuperFET II

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET II MOSFET

FCH041N65F-F085
onsemi
1: $ 16.068,78
358En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
FCH041N65F-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FCH041N65F_F085

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET II MOSFET

Hoja de datos

358En existencias

$ 16.068,78

$ 13.775,58

$ 13.595,40

$ 13.497,12

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

76 A

96 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

234 nC

- 55 C

+ 150 C

595 W

Enhancement

AEC-Q101

SuperFET II

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel Power Trench MOSFET

FDD9409-F085
onsemi
1: $ 3.276,00
1.512En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
FDD9409-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDD9409_F085

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel Power Trench MOSFET

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Cinta cortada

$ 3.276,00

$ 1.801,80

$ 1.490,58

$ 1.366,09

Envase tipo carrete

$ 1.226,86

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

90 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Power Trench MOSFET 150V 169A

FDBL86210-F085
onsemi
1: $ 10.794,42
8.582En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDBL86210-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86210_F085

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Power Trench MOSFET 150V 169A

Hoja de datos

8.582En existencias

Cinta cortada

$ 10.794,42

$ 7.338,24

$ 5.438,16

$ 5.421,78

Envase tipo carrete

$ 4.422,60

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

150 V

169 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 300A, 1.1 mO, TO-LL
N-Channel PowerTrench

FDBL86361-F085
onsemi
1: $ 10.728,90
2.108En existencias
2.000Se espera el 22/4/2026

N.º de artículo del Fabricante
FDBL86361-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86361F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 300A, 1.1 mO, TO-LL<BR>N-Channel PowerTrench

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2.108En existencias

2.000Se espera el 22/4/2026

Cinta cortada

$ 10.728,90

$ 7.125,30

$ 5.438,16

$ 5.389,02

Envase tipo carrete

$ 4.438,98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

80 V

300 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

172 nC

- 55 C

+ 175 C

429 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV7 80/20V1000A N-CH PowerTrench MOSFET

FDD86367-F085
onsemi
1: $ 4.766,58
1.737En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDD86367-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDD86367_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV7 80/20V1000A N-CH PowerTrench MOSFET

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Hoja de datos

1.737En existencias

Cinta cortada

$ 4.766,58

$ 3.095,82

$ 2.145,78

$ 1.769,04

$ 1.654,38

Envase tipo carrete

$ 1.654,38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

8.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 300A, 0.85mO, TO-LL
N-Channel PowerTrench

FDBL86561-F085
onsemi
1: $ 10.106,46
352En existencias
4.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
FDBL86561-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86561F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 300A, 0.85mO, TO-LL<BR> N-Channel PowerTrench

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Hoja de datos

352En existencias

4.000En pedido

Cinta cortada

$ 10.106,46

$ 6.895,98

$ 5.012,28

$ 4.995,90

$ 4.963,14

Envase tipo carrete

$ 4.062,24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

60 V

300 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

429 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 90A Dual DPAK N-Chnl PowerTrench

FDD86369-F085
onsemi
1: $ 3.669,12
42En existencias
2.500Se espera el 23/2/2026

N.º de artículo del Fabricante
FDD86369-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDD86369_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 90A Dual DPAK N-Chnl PowerTrench

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Hoja de datos

42En existencias

2.500Se espera el 23/2/2026

Cinta cortada

$ 3.669,12

$ 2.358,72

$ 1.595,41

$ 1.274,36

$ 1.205,57

Envase tipo carrete

$ 1.146,60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

90 A

17.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 4.3A

FDC5661N-F085
onsemi
1: $ 1.408,68
2.240En existencias
15.000Se espera el 27/3/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
FDC5661N-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDC5661N-F085

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 4.3A

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Hoja de datos

2.240En existencias

15.000Se espera el 27/3/2026

Cinta cortada

$ 1.408,68

$ 932,02

$ 615,89

$ 473,38

$ 427,52

Envase tipo carrete

$ 347,26

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

SSOT-6

N-Channel

1 Channel

60 V

4.3 A

47 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET

FDBL86366-F085
onsemi
1: $ 4.586,40
2.715En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDBL86366-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86366_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET

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Hoja de datos

2.715En existencias

Cinta cortada

$ 4.586,40

$ 3.488,94

$ 3.063,06

$ 2.915,64

$ 2.882,88

Envase tipo carrete

$ 2.375,10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

80 V

220 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 240A TO-LL N-Chnl PowerTrench

FDBL86563-F085
onsemi
1: $ 9.762,48
3.680Se espera el 17/2/2026

N.º de artículo del Fabricante
FDBL86563-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86563_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 240A TO-LL N-Chnl PowerTrench

Obtenga más información

Hoja de datos

3.680Se espera el 17/2/2026

Cinta cortada

$ 9.762,48

$ 6.486,48

$ 4.782,96

$ 4.733,82

$ 4.717,44

Envase tipo carrete

$ 3.865,68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

60 V

240 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

130 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOS N-Ch 60V 1.7A

FDN5632N-F085
onsemi
1: $ 1.703,52
Plazo de entrega 20 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
FDN5632N-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDN5632N-F085

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOS N-Ch 60V 1.7A

Hoja de datos

Plazo de entrega 20 Semanas

Cinta cortada

$ 1.703,52

$ 1.064,70

$ 697,79

$ 538,90

Envase tipo carrete

$ 401,31

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

SSOT-3

N-Channel

1 Channel

60 V

1.6 A

98 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

1.1 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 75A 0.015ohm N-CH

HUFA76645S3ST-F085
onsemi
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
Pedido especial de fábrica

N.º de artículo del Fabricante
HUFA76645S3ST-F085

N.º de artículo de Mouser
512-HUFA76645S3ST085

Pedido especial de fábrica

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 75A 0.015ohm N-CH

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas

Cotización

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

75 A

14 mOhms

- 16 V, 16 V

1 V

153 nC

- 55 C

+ 175 C

310 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

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