Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
360°
+3 imágenes
IPDQ60R040S7XTMA1
Infineon Technologies
1:
$ 9.975,42
750 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-PDQ60R040S7XTMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
750 En existencias
1
$ 9.975,42
10
$ 7.239,96
100
$ 6.322,68
500
$ 6.093,36
750
$ 6.044,22
2.250
Ver
2.250
$ 5.978,70
4.500
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
600 V
14 A
40 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
83 nC
- 55 C
+ 150 C
272 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPT60R065S7XTMA1
Infineon Technologies
1:
$ 5.012,28
1.095 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R065S7XTMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1.095 En existencias
1
$ 5.012,28
10
$ 4.717,44
100
$ 4.144,14
250
$ 4.127,76
500
$ 3.963,96
2.000
$ 3.177,72
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
600 V
8 A
65 mOhms
- 12 V, 12 V
3.5 V
51 nC
- 55 C
+ 150 C
167 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPT60R040S7XTMA1
Infineon Technologies
1:
$ 12.104,82
1.497 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R040S7XTMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1.497 En existencias
1
$ 12.104,82
10
$ 8.190,00
100
$ 6.191,64
500
$ 6.175,26
1.000
$ 5.585,58
2.000
$ 5.045,04
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
600 V
13 A
40 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
83 nC
- 55 C
+ 150 C
245 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CoolMOS S7T with embedded temperature sensor
IPDQ60T010S7XTMA1
Infineon Technologies
1:
$ 35.069,58
740 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60T010S7XTMA
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CoolMOS S7T with embedded temperature sensor
740 En existencias
1
$ 35.069,58
10
$ 29.909,88
100
$ 25.880,40
500
$ 25.864,02
750
$ 21.736,26
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
PG-HDSOP-22
N-Channel
1 Channel
600 V
174 A
10 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
318 nC
- 55 C
+ 150 C
694 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CoolMOS S7T with embedded temperature sensor
IPQC60T010S7XTMA1
Infineon Technologies
1:
$ 33.808,32
373 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IPQC60T010S7XTMA
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CoolMOS S7T with embedded temperature sensor
373 En existencias
1
$ 33.808,32
10
$ 27.010,62
25
$ 25.323,48
100
$ 23.456,16
250
Ver
750
$ 21.719,88
250
$ 22.555,26
750
$ 21.719,88
2.250
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
PG-HDSOP-22
N-Channel
1 Channel
600 V
174 A
10 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
318 nC
- 55 C
+ 150 C
694 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPDQ60R017S7XTMA1
Infineon Technologies
1:
$ 22.407,84
611 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R017S7XTMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
611 En existencias
1
$ 22.407,84
10
$ 15.708,42
100
$ 13.906,62
500
$ 13.005,72
750
$ 11.334,96
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
HDSOP-22
N-Channel
1 Channel
600 V
30 A
17 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
196 nC
- 40 C
+ 150 C
500 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPDQ60T017S7XTMA1
Infineon Technologies
1:
$ 20.917,26
230 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60T017S7XTMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
230 En existencias
1
$ 20.917,26
10
$ 15.348,06
100
$ 15.282,54
500
$ 14.479,92
750
$ 12.530,70
2.250
Presupuesto
2.250
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPDQ60T022S7XTMA1
Infineon Technologies
1:
$ 18.034,38
604 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60T022S7XTMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
604 En existencias
1
$ 18.034,38
10
$ 14.594,58
100
$ 13.316,94
500
$ 11.875,50
750
$ 10.040,94
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
HDSOP-22
N-Channel
1 Channel
600 V
90 A
22 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
150 nC
- 40 C
+ 150 C
416 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPQC60R010S7XTMA1
Infineon Technologies
1:
$ 29.909,88
452 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPQC60R010S7XTMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
452 En existencias
1
$ 29.909,88
10
$ 23.898,42
25
$ 23.800,14
100
$ 21.818,16
750
$ 20.393,10
2.250
Ver
2.250
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
HDSOP-22
N-Channel
1 Channel
600 V
50 A
10 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
318 nC
- 40 C
+ 150 C
694 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPQC60R017S7XTMA1
Infineon Technologies
1:
$ 20.737,08
699 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPQC60R017S7XTMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
699 En existencias
1
$ 20.737,08
10
$ 18.214,56
25
$ 18.198,18
100
$ 15.741,18
250
Ver
750
$ 14.463,54
250
$ 15.249,78
750
$ 14.463,54
2.250
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
HDSOP-22
N-Channel
1 Channel
600 V
30 A
17 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
196 nC
- 40 C
+ 150 C
500 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPQC60R040S7XTMA1
Infineon Technologies
1:
$ 14.054,04
739 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPQC60R040S7XTMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
739 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
HDSOP-22
N-Channel
1 Channel
600 V
14 A
40 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
83 nC
- 40 C
+ 150 C
272 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPQC60T017S7XTMA1
Infineon Technologies
1:
$ 19.885,32
750 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPQC60T017S7XTMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
750 En existencias
1
$ 19.885,32
10
$ 15.839,46
25
$ 15.348,06
100
$ 14.398,02
250
Ver
750
$ 12.661,74
250
$ 14.119,56
750
$ 12.661,74
2.250
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
HDSOP-22
N-Channel
1 Channel
600 V
113 A
17 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
196 nC
- 40 C
+ 150 C
500 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPT60T022S7XTMA1
Infineon Technologies
1:
$ 14.692,86
1.414 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPT60T022S7XTMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1.414 En existencias
1
$ 14.692,86
10
$ 12.809,16
25
$ 12.661,74
100
$ 11.678,94
2.000
$ 9.909,90
4.000
Presupuesto
4.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPT60T065S7XTMA1
Infineon Technologies
1:
$ 8.452,08
2.083 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPT60T065S7XTMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
2.083 En existencias
1
$ 8.452,08
10
$ 6.191,64
100
$ 5.012,28
500
$ 4.455,36
1.000
$ 3.816,54
2.000
$ 3.816,54
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPDQ60R010S7XTMA1
Infineon Technologies
1:
$ 34.037,64
132 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R010S7XTMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
132 En existencias
1
$ 34.037,64
10
$ 29.025,36
100
$ 25.094,16
500
$ 22.932,00
750
$ 20.491,38
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
600 V
50 A
10 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
318 nC
- 55 C
+ 150 C
694 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPT60T040S7XTMA1
Infineon Technologies
1:
$ 12.285,00
138 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPT60T040S7XTMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
138 En existencias
1
$ 12.285,00
10
$ 8.665,02
100
$ 7.223,58
500
$ 6.437,34
1.000
$ 5.733,00
2.000
$ 5.733,00
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPT60R022S7XTMA1
Infineon Technologies
1:
$ 17.002,44
2.064 En existencias
2.000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R022S7XTMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
2.064 En existencias
2.000 En pedido
1
$ 17.002,44
10
$ 11.809,98
100
$ 10.090,08
2.000
$ 8.714,16
4.000
Ver
4.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
600 V
23 A
22 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
150 nC
- 55 C
+ 150 C
390 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPDQ60R022S7XTMA1
Infineon Technologies
1:
$ 16.756,74
67 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R022S7XTMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
67 En existencias
1
$ 16.756,74
10
$ 12.170,34
100
$ 10.679,76
500
$ 10.253,88
750
$ 9.680,58
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
HDSOP-22
N-Channel
1 Channel
600 V
24 A
22 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
150 nC
- 55 C
+ 150 C
416 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPP60R022S7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$ 17.067,96
25 En existencias
500 Se espera el 16/2/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R022S7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
25 En existencias
500 Se espera el 16/2/2026
1
$ 17.067,96
10
$ 10.728,90
100
$ 9.533,16
500
$ 8.517,60
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
23 A
22 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
150 nC
- 55 C
+ 150 C
390 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPP60R065S7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$ 8.779,68
406 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R065S7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
406 En existencias
1
$ 8.779,68
10
$ 5.831,28
100
$ 4.717,44
500
$ 4.193,28
1.000
$ 3.587,22
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
8 A
65 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
51 nC
- 55 C
+ 150 C
167 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
360°
+5 imágenes
IPDQ60R065S7XTMA1
Infineon Technologies
1:
$ 7.977,06
749 Se espera el 12/3/2026
N.º de artículo de Mouser
726-PDQ60R065S7XTMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
749 Se espera el 12/3/2026
1
$ 7.977,06
10
$ 6.388,20
100
$ 5.159,70
500
$ 4.586,40
750
$ 3.931,20
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
HDSOP-22
N-Channel
1 Channel
600 V
9 A
65 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
51 nC
- 55 C
+ 150 C
195 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPQC60T022S7XTMA1
Infineon Technologies
750:
$ 12.039,30
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IPQC60T022S7XTMA
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
Comprar
Min.: 750
Mult.: 750
Detalles
Si
SMD/SMT
PG-HDSOP-22
N-Channel
1 Channel
600 V
371 A
22 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
150 nC
- 55 C
+ 150 C
416 W
Enhancement
CoolMOS
Reel