Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MOSV MOSFETs

Toshiba MOSV MOSFETs are N-channel MOSFETs offered in logic-level gate drive and low-voltage gate drive variants. These Toshiba devices provide a drain-source breakdown voltage (V_DS) range from 50V to 60V and a gate-source voltage (V_GS) range from 4V to 20V. Toshiba MOSV MOSFETs are offered in UFM, UF6, TSOP6F, and SOT-23F packages for design flexibility.

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Resultados: 7

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Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

SSM3K2615R,LF
Toshiba
1: $ 1.539,72
42.542En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K2615R,LF

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757-SSM3K2615RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

60 V

2 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

800 mV

6 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=60V

SSM3K2615TU,LF
Toshiba
1: $ 1.998,36
2.999En existencias
3.000Se espera el 17/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K2615TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K2615TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=60V

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$ 1.998,36

$ 1.384,11

$ 876,33

$ 540,54

Envase tipo carrete

$ 355,45

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Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

UFM-3

N-Channel

1 Channel

60 V

2 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

800 mV

6 nC

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSV

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V

SSM3K357R,LF
Toshiba
1: $ 1.523,34
5.454En existencias
15.000Se espera el 3/7/2026

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SSM3K357R,LF

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757-SSM3K357RLF

Toshiba

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$ 270,27

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: 3.000

SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

60 V

650 mA

1.8 Ohms

- 12 V, 12 V

1.3 V

1.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2-in-1 MOSFET ID=100mA VDSS=50V

SSM6N17FU(TE85L,F)
Toshiba
1: $ 737,10
7.808En existencias

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SSM6N17FU(TE85L,F)

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N17FUTE85LF

Toshiba

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Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SC-70-6

N-Channel

2 Channel

50 V

100 mA

20 Ohms

- 7 V, 7 V

900 mV

- 55 C

+ 150 C

200 mW

Enhancement

AEC-Q101

MOSV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=50V

SSM3K17FU,LF
Toshiba
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25.774En existencias

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SSM3K17FU,LF

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757-SSM3K17FULF

Toshiba

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Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

50 V

100 mA

20 Ohms

- 7 V, 7 V

900 mV

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

MOSV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V

SSM6N357R,LF
Toshiba
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8.883En existencias
9.000Se espera el 3/7/2026

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SSM6N357R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N357RLF

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Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

2 Channel

60 V

650 mA

1.8 Ohms

- 12 V, 12 V

1.3 V

1.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSV

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=60V, VGSS=+/-20V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.44Ohm @ 4V, in UF6 package

SSM6K407TU,LF
Toshiba
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SSM6K407TU,LF

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757-SSM6K407TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=60V, VGSS=+/-20V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.44Ohm @ 4V, in UF6 package

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SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

1 Channel

60 V

2 A

440 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

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