Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs are N-channel normal level MOSFETs available in PG-TO263-3, PG-TO220-3, and PG-HDSOP-16 packages. These MOSFETs feature excellent gate charge x R_DS(on) product (FOM), very low reverse recovery charge (Q_rr), and low on‑resistance R_DS(on). The OptiMOS™ 6 200V MOSFETs operate at 175°C temperature. These MOSFETs are halogen‑free according to IEC61249‑2‑21 and Moisture Sensitivity Level (MSL 1) classified according to J‑STD-020 standards. The OptiMOS™ 6 200V MOSFETs are ideal for renewables, motor control, audio amplifiers, and industrial applications.

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Vgs - Tensión entre puerta y fuente

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPTC068N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
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IPTC068N20NM6ATMA1

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726-IPTC068N20NM6ATM

Nuevo producto

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

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Envase tipo carrete

$ 5.945,94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.800

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

200 V

140 A

6.8 mOhms

20 V

4.5 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

319 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPB095N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
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$ 6.928,74

$ 5.601,96

$ 5.012,28

Envase tipo carrete

$ 4.242,42

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

PG-TO263-3

N-Channel

1 Channel

200 V

116 A

8.7 mOhms

20 V

4.5 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IPP095N20NM6AKSA1
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$ 3.849,30

$ 3.816,54

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

116 A

8.7 mOhms

20 V

4.5 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPB175N20NM6ATMA1
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Cinta cortada

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$ 2.800,98

$ 2.473,38

Envase tipo carrete

$ 2.063,88

$ 2.031,12

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

200 V

61 A

15.5 mOhms

20 V

4.5 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

203 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPP130N20NM6AKSA1
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$ 4.013,10

$ 2.899,26

$ 2.751,84

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

200 V

87 A

12 mOhms

20 V

4.5 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

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IPP175N20NM6AKSA1
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$ 2.293,20

$ 1.867,32

$ 1.687,14

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

61 A

15.5 mOhms

20 V

4.5 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

203 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

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ISC300N20NM6ATMA1
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Cinta cortada

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$ 2.653,56

$ 2.211,30

$ 2.047,50

Envase tipo carrete

$ 1.736,28

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

SON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

44 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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ISC130N20NM6ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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Cinta cortada

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$ 6.814,08

$ 4.946,76

$ 4.520,88

Envase tipo carrete

$ 4.193,28

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TSON-8-3

N-Channel

1 Channel

200 V

88 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

242 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPB339N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
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IPB339N20NM6ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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Cinta cortada

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$ 4.045,86

$ 3.177,72

$ 2.948,40

Envase tipo carrete

$ 2.489,76

$ 2.440,62

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

200 V

39 A

33.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

15.9 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPF067N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 13.120,38
1.530En existencias

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IPF067N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF067N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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Cinta cortada

$ 13.120,38

$ 8.959,86

$ 6.928,74

Envase tipo carrete

$ 6.191,64

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

200 V

138 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

72 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPF129N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 8.566,74
630En existencias
Nuevo en Mouser

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IPF129N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF129N20NM6ATMA

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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630En existencias

Cinta cortada

$ 8.566,74

$ 6.208,02

$ 5.192,46

$ 4.881,24

Envase tipo carrete

$ 4.127,76

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

200 V

87 A

12.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPP339N20NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: $ 4.258,80
2.490En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IPP339N20NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP339N20NM6AKSA

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

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Hoja de datos

2.490En existencias

$ 4.258,80

$ 2.293,20

$ 2.080,26

$ 1.654,38

$ 1.438,16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

39 A

33.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

15.9 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

ISZ520N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 2.964,78
7.235En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISZ520N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ520N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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Hoja de datos

7.235En existencias

Cinta cortada

$ 2.964,78

$ 2.178,54

$ 1.687,14

$ 1.415,23

Ver

Envase tipo carrete

$ 1.248,16

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

26 A

52 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

9.9 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPB068N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 13.136,76
37En existencias
2.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB068N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB068N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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Hoja de datos

37En existencias

2.000En pedido

Cinta cortada

$ 13.136,76

$ 8.927,10

$ 6.846,84

$ 6.830,46

Envase tipo carrete

$ 5.847,66

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3

N-Channel

1 Channel

200 V

134 A

6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPT129N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 12.170,34
1En existencias
2.000Se espera el 6/3/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPT129N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT129N20NM6ATMA

Infineon Technologies

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1En existencias

2.000Se espera el 6/3/2026

Cinta cortada

$ 12.170,34

$ 8.157,24

$ 6.126,12

$ 5.896,80

$ 5.880,42

Envase tipo carrete

$ 5.126,94

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

200 V

87 A

12.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

ISC151N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 8.861,58
9.395Se espera el 12/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC151N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC151N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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Hoja de datos

9.395Se espera el 12/11/2026

Cinta cortada

$ 8.861,58

$ 6.257,16

$ 4.504,50

$ 4.389,84

Envase tipo carrete

$ 3.587,22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

74 A

15.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPP069N20NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: $ 12.235,86
2.000Se espera el 6/3/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP069N20NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP069N20NM6AKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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Hoja de datos

2.000Se espera el 6/3/2026

$ 12.235,86

$ 6.666,66

$ 6.126,12

$ 5.372,64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

136 A

6.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs

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