PSMN6R1 N-channel MOSFETs

Nexperia PSMN6R1 N-channel MOSFETs is a dual logic level N-channel MOSFET housed in an LFPAK56D (dual power-SO8) package. The Nexperia MOSFETs use TrenchMOS technology. The devices are repetitive avalanche-rated and qualified to 175°C.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT205 2NCH 40V 40A
Hoja de datos
237En existencias
9.000Se espera el 8/2/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 40 A 7.2 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 22.2 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 40V 40A
Hoja de datos
2.310En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 40 A 6.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 28.9 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel