Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 10

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPF031N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 12.710,88
719En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF031N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF031N13NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

719En existencias

Cinta cortada

$ 12.710,88

$ 8.452,08

$ 6.175,26

$ 5.831,28

Envase tipo carrete

$ 4.340,70

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO263-7

N-Channel

1 Channel

135 V

207 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

104 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPF021N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 14.365,26
1.656En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF021N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF021N13NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

1.656En existencias

Cinta cortada

$ 14.365,26

$ 10.204,74

$ 8.058,96

$ 7.714,98

Envase tipo carrete

$ 7.714,98

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO263-7

N-Channel

1 Channel

135 V

250 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPT020N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 12.710,88
645En existencias
8.000Se espera el 9/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPT020N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT020N13NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

645En existencias

8.000Se espera el 9/7/2026

Cinta cortada

$ 12.710,88

$ 8.452,08

$ 6.191,64

$ 5.356,26

Envase tipo carrete

$ 4.537,26

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTC020N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 17.280,90
503En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPTC020N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC020N13NM6ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

503En existencias

Cinta cortada

$ 17.280,90

$ 11.809,98

$ 9.729,72

$ 8.681,40

$ 8.108,10

Envase tipo carrete

$ 8.108,10

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

135 V

297 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

159 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTG020N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 16.560,18
1.224En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPTG020N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTG020N13NM6ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

1.224En existencias

Cinta cortada

$ 16.560,18

$ 11.318,58

$ 9.336,60

$ 8.321,04

$ 7.780,50

Envase tipo carrete

$ 7.780,50

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

135 V

297 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

159 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTG029N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 13.284,18
1.695En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPTG029N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTG029N13NM6ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

1.695En existencias

Cinta cortada

$ 13.284,18

$ 9.352,98

$ 7.567,56

$ 6.732,18

$ 5.962,32

Envase tipo carrete

$ 5.962,32

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

135 V

212 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

104 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC037N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 10.368,54
5.528En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC037N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC037N13NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

5.528En existencias

Cinta cortada

$ 10.368,54

$ 6.863,22

$ 4.995,90

$ 4.291,56

Ver

Envase tipo carrete

$ 3.472,56

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

135 V

172 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC046N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 10.188,36
3.763En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC046N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC046N13NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

3.763En existencias

Cinta cortada

$ 10.188,36

$ 6.732,18

$ 4.897,62

$ 4.209,66

Ver

Envase tipo carrete

$ 3.407,04

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

135 V

142 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

211 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPP073N13NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: $ 7.223,58
500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP073N13NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP073N13NM6AKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

500En existencias

$ 7.223,58

$ 4.226,04

$ 3.079,44

$ 2.391,48

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

135 V

98 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISZ143N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 6.306,30
495En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISZ143N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ143N13NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

495En existencias

Cinta cortada

$ 6.306,30

$ 4.095,00

$ 2.882,88

$ 2.407,86

Ver

Envase tipo carrete

$ 2.096,64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

135 V

54 A

14.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

21 nC

95 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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