Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 10

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPF031N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 8.583,12
721En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF031N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF031N13NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

721En existencias

Cinta cortada

$ 8.583,12

$ 6.273,54

$ 4.766,58

$ 4.635,54

Envase tipo carrete

$ 3.882,06

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO263-7

N-Channel

1 Channel

135 V

207 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

104 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPF021N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 11.072,88
1.668En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF021N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF021N13NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

1.668En existencias

Cinta cortada

$ 11.072,88

$ 8.042,58

$ 6.306,30

$ 6.224,40

Envase tipo carrete

$ 5.716,62

$ 5.470,92

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO263-7

N-Channel

1 Channel

135 V

250 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTC020N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 12.203,10
915En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPTC020N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC020N13NM6ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

915En existencias

Cinta cortada

$ 12.203,10

$ 9.041,76

$ 8.861,58

$ 7.485,66

Ver

Envase tipo carrete

$ 6.437,34

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

135 V

297 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

159 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTG020N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 12.104,82
1.332En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPTG020N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTG020N13NM6ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

1.332En existencias

Cinta cortada

$ 12.104,82

$ 9.074,52

$ 7.190,82

$ 6.814,08

Envase tipo carrete

$ 6.175,26

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

135 V

297 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

159 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTG029N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 10.204,74
1.699En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPTG029N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTG029N13NM6ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

1.699En existencias

Cinta cortada

$ 10.204,74

$ 7.338,24

$ 5.765,76

$ 5.749,38

$ 5.454,54

Envase tipo carrete

$ 4.733,82

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

135 V

212 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

104 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC037N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 6.683,04
3.914En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC037N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC037N13NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

3.914En existencias

Cinta cortada

$ 6.683,04

$ 5.045,04

$ 3.783,78

$ 3.538,08

$ 3.341,52

Envase tipo carrete

$ 3.079,44

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

135 V

172 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC046N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 7.207,20
4.813En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC046N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC046N13NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

4.813En existencias

Cinta cortada

$ 7.207,20

$ 4.832,10

$ 4.684,68

$ 3.996,72

Ver

Envase tipo carrete

$ 3.112,20

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

135 V

142 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

211 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPP073N13NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: $ 5.339,88
363En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP073N13NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP073N13NM6AKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

363En existencias

$ 5.339,88

$ 2.440,62

$ 2.260,44

$ 2.063,88

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

135 V

98 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPT020N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 9.696,96
117En existencias
8.000Se espera el 12/3/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPT020N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT020N13NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

117En existencias

8.000Se espera el 12/3/2026

Cinta cortada

$ 9.696,96

$ 6.502,86

$ 4.684,68

$ 4.619,16

Envase tipo carrete

$ 3.996,72

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISZ143N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 4.455,36
570En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISZ143N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ143N13NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

570En existencias

Cinta cortada

$ 4.455,36

$ 3.226,86

$ 2.358,72

$ 2.047,50

Envase tipo carrete

$ 1.654,38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

135 V

54 A

14.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

21 nC

95 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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