Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Automotive U-MOSVI Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSVI Power MOSFETs are -40V P-channel power MOSFETs for automotive applications. These devices feature a gate drive voltage of -4.5V compared with -6V for the conventional products in the DPAK+ package. This feature allows systems to be used even when the battery voltage drops. The Toshiba Automotive U-MOSVI Power MOSFETs feature low on-resistance.

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ200F04M3L,LXHQ
Toshiba
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TJ200F04M3L,LXHQ

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757-TJ200F04M3L,LXHQ

Toshiba

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Presupuesto

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SMD/SMT

TO-220SM-3

P-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.8 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

460 nC

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ8S06M3L,LXHQ
Toshiba
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TJ8S06M3L,LXHQ

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757-TJ8S06M3L,LXHQ

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$ 915,64

$ 714,17

Envase tipo carrete

$ 584,77

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

8 A

104 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

19 nC

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ60S04M3L,LXHQ
Toshiba
1: $ 2.800,98
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757-TJ60S04M3L,LXHQ

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$ 899,26

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

60 A

6.3 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

125 nC

+ 175 C

90 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ10S04M3L,LXHQ
Toshiba
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19.147En existencias

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TJ10S04M3L,LXHQ

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DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

10 A

44 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

19 nC

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ80S04M3L,LXHQ
Toshiba
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

80 A

5.2 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

158 nC

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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TJ40S04M3L,LXHQ
Toshiba
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TJ40S04M3L,LXHQ

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757-TJ40S04M3L,LXHQ

Toshiba

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$ 712,53

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

40 A

9.1 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

83 nC

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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TJ15S06M3L,LXHQ
Toshiba
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TJ15S06M3L,LXHQ

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757-TJ15S06M3L,LXHQ

Toshiba

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$ 789,52

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$ 620,80

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

15 A

50 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

36 nC

+ 175 C

41 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ30S06M3L,LXHQ
Toshiba
1: $ 2.588,04
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TJ30S06M3L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ30S06M3L,LXHQ

Toshiba

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$ 779,69

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

30 A

21.8 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

80 nC

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:-40V IC:-7A PD:1.5W TSOP6F

SSM6J808R,LXHF
Toshiba
1: $ 1.916,46
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SSM6J808R,LXHF

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757-SSM6J808RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:-40V IC:-7A PD:1.5W TSOP6F

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$ 468,47

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SMD/SMT

TSOP6F

P-Channel

1 Channel

40 V

7 A

48 mOhms

- 20 V, 10 V

2 V

24.2 nC

+ 150 C

1.5 W

AEC-Q101

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TJ20S04M3L,LXHQ
Toshiba
1: $ 2.424,24
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TJ20S04M3L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ20S04M3L,LXHQ

Toshiba

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$ 797,71

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$ 656,84

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

20 A

22.2 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

37 nC

+ 175 C

41 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ60S06M3L,LXHQ
Toshiba
1: $ 3.341,52
8.031En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ60S06M3L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ60S06M3L,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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$ 3.341,52

$ 2.276,82

$ 1.544,63

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$ 1.023,75

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Carrete: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

60 A

11.2 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

156 nC

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ90S04M3L,LXHQ
Toshiba
1: $ 3.832,92
3.202En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ90S04M3L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ90S04M3L,LXHQ

Toshiba

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$ 3.832,92

$ 2.457,00

$ 1.687,14

$ 1.338,25

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$ 1.104,01

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Carrete: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

90 A

4.3 mOhms

- 20 V, 10 V

2 V

172 nC

+ 175 C

180 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPH3R114MC,L1XHQ
Toshiba
1: $ 3.669,12
1.612En existencias
5.000Se espera el 13/2/2026

N.º de artículo del Fabricante
XPH3R114MC,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPH3R114MC,L1XHQ

Toshiba

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1.612En existencias

5.000Se espera el 13/2/2026

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$ 3.669,12

$ 2.358,72

$ 1.600,33

$ 1.303,85

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Envase tipo carrete

$ 1.020,47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

SOP-Advance-8

P-Channel

1 Channel

40 V

100 A

3.1 mOhms

- 20 V, 10 V

2.1 V

230 nC

+ 175 C

170 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:-20V Ic:-0.8A SOT-723

SSM3J66MFV,L3XHF
Toshiba
1: $ 556,92
6.583En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J66MFV,L3XHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J66MFVL3XHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:-20V Ic:-0.8A SOT-723

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6.583En existencias

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$ 556,92

$ 339,07

$ 212,94

$ 157,25

Envase tipo carrete

$ 83,54

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 8.000

SMD/SMT

VESM-3

P-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

480 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

1.6 nC

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ50S06M3L,LXHQ
Toshiba
1: $ 3.095,82
833En existencias
2.000Se espera el 15/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
TJ50S06M3L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ50S06M3L,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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833En existencias

2.000Se espera el 15/6/2026

Cinta cortada

$ 3.095,82

$ 2.096,64

$ 1.446,35

$ 1.148,24

Envase tipo carrete

$ 923,83

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

50 A

13.8 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

124 nC

+ 175 C

90 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPN9R614MC,L1XHQ
Toshiba
1: $ 2.031,12
2.781En existencias
5.000Se espera el 15/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
XPN9R614MC,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPN9R614MC,L1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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2.781En existencias

5.000Se espera el 15/5/2026

Cinta cortada

$ 2.031,12

$ 1.326,78

$ 927,11

$ 756,76

Envase tipo carrete

$ 560,20

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Carrete: 5.000

SMD/SMT

TSON-Advance-8

P-Channel

1 Channel

40 V

40 A

9.6 mOhms

- 20 V, 10 V

2.1 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPH4R714MC,L1XHQ
Toshiba
1: $ 3.194,10
14.688Se espera el 20/2/2026

N.º de artículo del Fabricante
XPH4R714MC,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPH4R714MC,L1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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Cinta cortada

$ 3.194,10

$ 2.031,12

$ 1.348,07

$ 1.105,65

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Envase tipo carrete

$ 805,90

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

SOP-Advance-8

P-Channel

1 Channel

40 V

60 A

4.7 mOhms

- 20 V, 10 V

2.1 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

132 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-ch MOSFET, -30 V, -6.0 A, 0.042Ohma.10V, DFN2020B(WF)Automotive

XSM6J372NW,LXHF
Toshiba
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8.940En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XSM6J372NW,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-XSM6J372NWLXHF

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-ch MOSFET, -30 V, -6.0 A, 0.042Ohma.10V, DFN2020B(WF)Automotive

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$ 589,68

$ 358,72

$ 226,04

$ 167,08

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$ 121,21

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Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

DFN2020B-6

P-Channel

1 Channel

30 V

24 A

144 mOhms

- 12 V, 6 V

1.2 V

8.2 nC

+ 150 C

3.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Automotive U-MOSVI Power MOSFETs

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