Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SH8M Dual Nch+Pch Power MOSFET

ROHM Semiconductor SH8M Dual Nch+Pch Power MOSFET includes two 60V MOSFETs in a small, surface-mount SOP8 package with eight terminals. If offers low on-resistance, ±6.5A/±7A drain current ID, 32mΩ to 33mΩ R_DS(on) maximum, and 2W power dissipation. ROHM Semiconductor SH8M Dual Nch+Pch Power MOSFET utilizes Pb-free plating and is halogen free as well as RoHS compliant. The SH8M is Ideal for switching applications.

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Resultados: 11

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 N-CH 45V 7A

RSS070N05HZGTB
ROHM Semiconductor
1: $ 3.538,08
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RSS070N05HZGTB

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755-RSS070N05HZGTB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 N-CH 45V 7A

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$ 1.120,39

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Carrete: 2.500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

45 V

7 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 2NCH 500V .5A

SP8K80TB1
ROHM Semiconductor
1: $ 3.751,02
6.730En existencias

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SP8K80TB1

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755-SP8K80TB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 2NCH 500V .5A

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Cinta cortada

$ 3.751,02

$ 2.719,08

$ 1.965,60

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Envase tipo carrete

$ 1.323,50

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SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

500 V

500 mA

11.7 Ohms

- 30 V, 30 V

5 V

3.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 N-CH 30V 3.5A

RXL035N03TCR
ROHM Semiconductor
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RXL035N03TCR

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755-RXL035N03TCR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 N-CH 30V 3.5A

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$ 1.244,88

$ 897,62

$ 614,25

$ 507,78

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$ 370,19

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SMD/SMT

SOT-363T-6

N-Channel

1 Channel

30 V

3.5 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

3.3 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 NPCH 45V 4.5A

SP8M24HZGTB
ROHM Semiconductor
1: $ 3.898,44
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SP8M24HZGTB

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755-SP8M24HZGTB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 NPCH 45V 4.5A

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Envase tipo carrete

$ 1.172,81

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

45 V

3.5 A, 4.5 A

46 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V, 2.5 V

6.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.5A/4A, Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET

SH8MC4TB1
ROHM Semiconductor
1: $ 2.588,04
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SH8MC4TB1

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755-SH8MC4TB1

Nuevo producto

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.5A/4A, Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET

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$ 719,08

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Carrete: 2.500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

60 V, 60 V

3.5 A, 4 A

95 mOhms, 96 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V, 2.5 V

3.1 nC, 17.3 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V 4.5A, Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET

SH8JE5TB1
ROHM Semiconductor
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N.º de artículo del Fabricante
SH8JE5TB1

N.º de artículo de Mouser
755-SH8JE5TB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V 4.5A, Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET

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Envase tipo carrete

$ 1.719,90

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Carrete: 2.500

SMD/SMT

SOP-8

P-Channel

2 Channel

100 V

4.5 A

91 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

52 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.5A Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET

SH8ME5TB1
ROHM Semiconductor
1: $ 3.505,32
1.728En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SH8ME5TB1

N.º de artículo de Mouser
755-SH8ME5TB1

ROHM Semiconductor

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Envase tipo carrete

$ 1.379,20

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SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

1 Channel

100 V

4.5 A, 4.5 A

58 mOhms, 91 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V, 2.5 V

6.7 nC, 52 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 N-CH 45V 9.5A

RSS095N05HZGTB
ROHM Semiconductor
1: $ 4.258,80
4.251En existencias

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RSS095N05HZGTB

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755-RSS095N05HZGTB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 N-CH 45V 9.5A

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$ 1.526,62

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SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

45 V

9.5 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

18.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 4.5A/5.5A, Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET

SH8MB4TB1
ROHM Semiconductor
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SH8MB4TB1

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755-SH8MB4TB1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 4.5A/5.5A, Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET

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$ 728,91

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Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

40 V, 40 V

4.5 A, 5.5 A

46 mOhms, 55 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V, 2.5 V

3.5 nC, 17.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 6.5A/7.0A Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET

SH8MC5TB1
ROHM Semiconductor
1: $ 4.111,38
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SH8MC5TB1

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755-SH8MC5TB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 6.5A/7.0A Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET

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$ 4.111,38

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$ 1.400,49

Envase tipo carrete

$ 1.346,44

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Mult.: 1

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SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

60 V, 60 V

6.5 A, 7 A

32 mOhms, 33 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V, 2.5 V

7.6 nC

- 55 C

+ 150 C

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 P-CH 45V 6A

RSS060P05HZGTB
ROHM Semiconductor
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
RSS060P05HZGTB

N.º de artículo de Mouser
755-RSS060P05HZGTB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 P-CH 45V 6A

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$ 1.223,59

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Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

SOP-8

P-Channel

1 Channel

45 V

6 A

36 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

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