Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
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Paquete / Cubierta
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Microchip Technology MOSFETs de SiC FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD
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962En existencias
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4

Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 50 A TO-247
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76En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 700 V, 10 A SiC SBD
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603En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 30 A TO-247
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43En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
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141En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 1200 V, 30 A SiC SBD
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481En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247
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319En existencias
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 50 A TO-247
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876En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-247
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629En existencias
720Se espera el 13/10/2026
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
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18En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 1200 V, 10 A SiC SBD
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82En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 1200 V, 10 A SiC SBD
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75En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
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150En existencias
300Se espera el 6/10/2026
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4
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19En existencias
90Se espera el 26/10/2026
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 30 A TO-268
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25En existencias
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 700 V, 50 A SiC SBD
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255En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 50 A TO-268
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41En existencias
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247-4
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55En existencias
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4
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148En existencias
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-268
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36En existencias
150Se espera el 8/10/2026
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SiC MOSFETS SMD/SMT D3PAK-3
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247-4
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509En pedido
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-268
Hoja de datos
215En pedido
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SiC MOSFETS SMD/SMT TO-268-3
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 700 V 30 A TO-247
Hoja de datos
159Se espera el 9/10/2026
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 700 V, 20 A SiC SBD
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220Se espera el 16/10/2026
Min.: 1
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2