SkyFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SkyFET® Power MOSFETs integrate a MOSFET and a Schottky diode and are ideal for increasing efficiency at light loads and higher frequencies to reduce power losses in servers, notebooks, and VRMs. Their low VF and Qrr provide an advantage over standard trench MOSFETs. Other features include increased efficiency for DC-DC converter applications, reduced space by eliminating external Schottky diodes, low-side switch for synchronous rectification, and reduced power losses linked to the body diode of the MOSFET. Typical applications for Vishay / Siliconix SkyFET Power MOSFETs include point of load (PoL), synchronous rectification, VRM, synchronous buck low side for core voltages, and graphics cards.

Resultados: 14
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
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6.683En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAIR-6x5-8 N-Channel 2 Channel 30 V 20 A, 60 A 4.7 mOhms, 2.2 mOhms - 16 V, 20 V 1.1 V 18 nC, 44.3 nC - 55 C + 150 C 20.2 W, 32.9 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F
Hoja de datos
2.158En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAIR-6x5-8 N-Channel, NPN 2 Channel 30 V 40 A, 60 A 12.7 mOhms, 6.58 mOhms - 12 V, 16 V 1.1 V 14.6 nC, 62 nC - 55 C + 150 C 26.6 W, 60 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
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2.966En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT PowerPAIR-6x5-8 N-Channel 2 Channel 30 V 20 A, 60 A 4.7 mOhms, 1.1 mOhms - 16 V, 20 V 1.2 V, 1.1 V 18 nC, 77 nC - 55 C + 150 C 20 W, 66 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8
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12.410En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 6.8 A, 11.4 A 11.5 mOhms, 18.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 7.8 nC, 11.6 nC - 55 C + 150 C 1.4 W, 2.4 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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5.867En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 35.6 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 29.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F
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5.231En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAIR-6x5-8 N-Channel, NPN 2 Channel 30 V 40 A, 60 A 6.8 mOhms, 2.7 mOhms - 12 V, 16 V 1.1 V, 1 V 14.6 nC, 37 nC - 50 C + 150 C 26.6 W, 50 W Enhancement TrenchFET, SkyFET, PowerPAIR Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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3.702En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 50 A 1.65 mOhms - 16 V, 20 V 1.1 V 117 nC - 55 C + 150 C 71.4 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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7.425En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 30 V 18 A 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 27.7 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F
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2.950En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAIR-6x5-8 N-Channel, NPN 2 Channel 25 V 40 A, 60 A 6.2 mOhms, 1.5 mOhms - 12 V, 16 V 1.1 V 14 nC, 65 nC - 50 C + 150 C 26.6 W, 60 W Enhancement TrenchFET, SkyFET, PowerPAIR Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V(S1-S2)
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2.639En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT N-Channel 2 Channel 30 V 54.8 A, 94.6 A 33.8 mOhms, 43.9 mOhms - 16 V, 20 V 2.2 V 12 nC, 31.1 nC - 55 C + 150 C 20 W, 32.9 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 30V Vds PowerPAIR 6x5F
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7.382En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAIR-6x5-8 N-Channel 2 Channel 30 V 76 A, 197 A 3.07 mOhms, 1.05 mOhms - 16 V, - 12 V, 16 V, 20 V 1.1 V 29 nC, 125 nC - 55 C + 150 C 28 W, 74 W Enhancement TrenchFET; PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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7.779En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 3.5 mOhms - 16 V, 20 V 2.4 V 24 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 4 mOhms - 16 V, 20 V 1 V 38.5 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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No en existencias
Min.: 6.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 4 mOhms - 16 V, 20 V 1 V 38.5 nC - 55 C + 150 C 46.3 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel