Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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RH6 N-Channel Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RH6 N-Channel Power MOSFETs offer low on-resistance in a small, high-power, 8-pin, surface mount molded package (HSMT-8). The RH6 MOSFETs feature a 59W power dissipation and a -55°C to +150°C operating temperature range. The RH6 N-Channel Power MOSFETs are designed for switching applications.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 150V 40A

RH6R040CHTB1
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SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

150 V

40 A

38 mOhms

20 V

4 V

11.3 nC

- 55 C

+ 175 C

93 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 60V 65A

RH6L040BGTB1
ROHM Semiconductor
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$ 1.559,38

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SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

60 V

65 A

7.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

18.8 nC

- 55 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 100V 40A N-CH MOSFET

RH6P040BHTB1
ROHM Semiconductor
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SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

15.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

16.7 nC

- 55 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

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RH6G040CGTB1
ROHM Semiconductor
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SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

40 V

135 A

2.4 mOhms

20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

93 W

Enhancement

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RH6E040BGTB1
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$ 1.143,32

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SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

30 V

125 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 135A

RH6G040CHTB1
ROHM Semiconductor
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RH6G040CHTB1

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755-RH6G040CHTB1

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SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

40 V

135 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

93 W

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RH6N040BHTB1
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755-RH6N040BHTB1

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N-Channel

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80 V

65 A

8.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V 25A N-CH

RH6R025BHTB1
ROHM Semiconductor
1: $ 3.898,44
5.870En existencias

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RH6R025BHTB1

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755-RH6R025BHTB1

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HSMT-8

N-Channel

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150 V

25 A

60 mOhms

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16.7 nC

- 55 C

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RH6G040BGTB1
ROHM Semiconductor
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5.985Se espera el 19/6/2026

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RH6G040BGTB1

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5.985Se espera el 19/6/2026

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95 A

3.6 mOhms

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- 55 C

+ 150 C

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