PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed with logic level gate drive in a DFN5060X-8L and DFN3333-8L packages. These MOSFETs feature low on−resistance (RDS(on)), excellent Figure Of Merit (FOM), and ±20 gate-source voltage. The PJQx 30V N-Channel MOSFETs are AEC-Q101 qualified and are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 standards. These MOSFETs are ideal for automotive applications.

Resultados: 22
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Hoja de datos
4.698En existencias
Min.: 1
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 4.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 45.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Hoja de datos
5.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 55 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10.7 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Hoja de datos
4.899En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 65 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 175 C 37.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Hoja de datos
5.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Hoja de datos
4.986En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 38 A 9.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 21.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Hoja de datos
2.980En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 93 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Hoja de datos
2.996En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060X-8 N-Channel 1 Channel 30 V 85 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 41.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Hoja de datos
3.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
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Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 73 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Hoja de datos
2.996En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060X-8 N-Channel 1 Channel 30 V 68 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 35.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
2.585En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 61 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 31.3 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Hoja de datos
2.980En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060X-8 N-Channel 1 Channel 30 V 58 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
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3.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 16.7 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 12.4 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
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3.000En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060X-8 N-Channel 1 Channel 30 V 49 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 12.4 nC - 55 C + 150 C 27.8 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
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3.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 39 A 9.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 23 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
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2.995En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060X-8 N-Channel 1 Channel 30 V 37 A 8.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 19.2 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 5.000
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Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 75 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 38 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
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Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 62 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 31.3 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 51 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 26.6 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 45 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 12.4 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 5.000
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Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 36 A 8.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 18 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 152 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 29.6 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 43 nC - 55 C + 175 C 3.3 W Enhancement AEC-Q101 Reel