NVD5C Power MOSFETs

onsemi NVD5C Power MOSFETs are AEC-Q101 Qualified and offer robust solutions for automotive applications. NVD5C Power MOSFETs offer Low RDS(on) to minimize conduction losses and low QG and Capacitance to minimize driver losses. These onsemi single N-Channel MOSFETs are housed in a compact, surface-mount DPAK package and are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free, and RoHS Compliant.

Resultados: 7
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SL IN DPAK 2.269En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 163 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 80.6 nC - 55 C + 175 C 117 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP 2.126En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 83 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SL DPAK 3.446En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 101 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 34.3 nC - 55 C + 175 C 101 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP 1.954En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 45 A 7.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 20 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK 4.946En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 38 A 13.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 9.6 nC - 55 C + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK 3.133En existencias
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Carrete: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 17 A 22.8 mOhms - 16 V, 16 V 1.2 V 7 nC - 55 C + 175 C 18 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK 104En existencias
2.500Se espera el 28/8/2026
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 49 A 7.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 18.7 nC - 55 C + 175 C 44 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel