DMN3027x N-Channel MOSFETs

Diodes Incorporated DMN3027x N-Channel MOSFETs are designed to minimize the on-state resistance RDS(ON) and maintains superior switching performance. These MOSFETs operate at a temperature range from -55°C to +150°C. The DMN3027x MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss 70A
12.000Se espera el 1/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 5.3 A 13.5 mOhms - 25 V, 25 V 900 mV 11.3 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss 70A Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel Reel