PJQx43 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PJQx43 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs are reliable and rugged MOSFETs with ±25V gate-source voltage and -55°C to 150°C operating temperature range. These MOSFETs are 100% UIS tested and are available in the DFN5060X-8L and DFN3333-8L packages. The PJQx43 P-Channel MOSFETs are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 and are green molding compounds as per IEC 61249 standard.

Resultados: 8
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Standard Trench MOSFET
Hoja de datos
2.665En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060X-8 P-Channel 1 Channel 30 V 30 A 18.8 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Standard Trench MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 62 A 8.8 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 54 nC - 55 C + 150 C 54.3 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Standard Trench MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 41 A 12.5 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 34 nC - 55 C + 150 C 33.8 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Standard Trench MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 38 A 15.4 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 32 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Standard Trench MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 30 A - 25 V, 25 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Standard Trench MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060X-8 P-Channel 1 Channel 30 V 68 A 8.4 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 54 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Standard Trench MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060X-8 P-Channel 1 Channel 30 V 43 A 12.1 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 34 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Standard Trench MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060X-8 P-Channel 1 Channel 30 V 38 A 15 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 32 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Reel