Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Low-Gate Drive Voltage MOSFETs

ROHM Low-Gate Drive Voltage MOSFETs have a wide drive type of 0.9V to 10V. This wide drive type range offers support for applications ranging from a small signal to high power. ROHM Low-Gate Drive Voltage MOSFETs come in a wide choice of sizes as small as the microminiature package (0604 sizes). This variety of sizes helps to contribute to area space-saving in an application. These MOSFETs offer superior high-speed switching and low On-Resistance.

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Resultados: 24

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Nch+Pch Si MOSFET

UT6MA3TCR
ROHM Semiconductor
1: $ 2.452,84
6.000En existencias

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UT6MA3TCR

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755-UT6MA3TCR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Nch+Pch Si MOSFET

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$ 2.452,84

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$ 1.020,04

$ 796,75

Envase tipo carrete

$ 629,28

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: 3.000

SMD/SMT

DFN-2020-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

5 A, 5.5 A

42 mOhms, 59 mOhms

- 8 V, 8 V

1.5 V

4 nC, 6.5 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Pch+Pch Si MOSFET

QH8JA1TCR
ROHM Semiconductor
1: $ 2.537,42
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N.º de artículo del Fabricante
QH8JA1TCR

N.º de artículo de Mouser
755-QH8JA1TCR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Pch+Pch Si MOSFET

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8.786En existencias

Cinta cortada

$ 2.537,42

$ 1.556,28

$ 1.065,72

$ 832,27

Envase tipo carrete

$ 700,33

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: 3.000

SMD/SMT

TSMT-8

P-Channel

2 Channel

20 V

5 A

38 mOhms

- 10 V, 10 V

1.2 V

10.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Nch+Nch Si MOSFET

QH8KA4TCR
ROHM Semiconductor
1: $ 2.892,66
3.899En existencias

N.º de artículo del Fabricante
QH8KA4TCR

N.º de artículo de Mouser
755-QH8KA4TCR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Nch+Nch Si MOSFET

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3.899En existencias

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$ 2.892,66

$ 1.708,53

$ 1.170,60

$ 959,14

Envase tipo carrete

$ 769,68

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: 3.000

SMD/SMT

TSMT-8

N-Channel

2 Channel

30 V

9 A

17 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 18.0A(Id), (2.5V Drive)

RQ3E180AJTB
ROHM Semiconductor
1: $ 3.061,82
2.950En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RQ3E180AJTB

N.º de artículo de Mouser
755-RQ3E180AJTB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 18.0A(Id), (2.5V Drive)

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2.950En existencias

Cinta cortada

$ 3.061,82

$ 1.945,36

$ 1.302,54

$ 1.026,81

Envase tipo carrete

$ 823,82

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: 3.000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

30 V

18 A

3.5 mOhms

- 12 V, 12 V

500 mV

39 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5A, Dual Nch+Nch, DFN2020-8D, Power MOSFET

UT6KB5TCR
ROHM Semiconductor
1: $ 1.150,30
3.004En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UT6KB5TCR

N.º de artículo de Mouser
755-UT6KB5TCR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5A, Dual Nch+Nch, DFN2020-8D, Power MOSFET

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3.004En existencias

Cinta cortada

$ 1.150,30

$ 734,16

$ 597,14

$ 570,07

Envase tipo carrete

$ 548,08

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: 3.000

SMD/SMT

DFN-2020-8

N-Channel

2 Channel

40 V

5 A

48 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

3.5 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -20V -5A Si MOSFET

RQ6C050BCTCR
ROHM Semiconductor
1: $ 2.317,51
3.228En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RQ6C050BCTCR

N.º de artículo de Mouser
755-RQ6C050BCTCR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -20V -5A Si MOSFET

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3.228En existencias

Cinta cortada

$ 2.317,51

$ 1.459,86

$ 964,22

$ 751,08

Envase tipo carrete

$ 661,42

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: 3.000

SMD/SMT

SOT-457-6

P-Channel

1 Channel

20 V

5 A

36 mOhms

- 8 V, 8 V

1.2 V

10.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl -20V Vdss -/+1.4A Id RASMID

RV2C014BCT2CL
ROHM Semiconductor
1: $ 964,22
14.628En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RV2C014BCT2CL

N.º de artículo de Mouser
755-RV2C014BCT2CL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl -20V Vdss -/+1.4A Id RASMID

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14.628En existencias

Cinta cortada

$ 964,22

$ 590,37

$ 377,23

$ 282,50

Envase tipo carrete

$ 187,77

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: 8.000

SMD/SMT

DFN-1006-3

P-Channel

1 Channel

20 V

1.4 A

300 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

- 55 C

+ 150 C

600 mW

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 11.0A(Id), (2.5V Drive)

RQ3E110AJTB
ROHM Semiconductor
1: $ 2.080,68
4.782En existencias

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RQ3E110AJTB

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755-RQ3E110AJTB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 11.0A(Id), (2.5V Drive)

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4.782En existencias

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$ 2.080,68

$ 1.299,16

$ 854,26

$ 661,42

Envase tipo carrete

$ 519,33

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Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

30 V

24 A

11.7 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

13.5 nC

- 55 C

+ 150 C

15 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 P-CH 80V 6A

RQ3N060ATTB1
ROHM Semiconductor
1: $ 3.670,80
2.884En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RQ3N060ATTB1

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755-RQ3N060ATTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 P-CH 80V 6A

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2.884En existencias

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$ 3.670,80

$ 2.351,34

$ 1.581,66

$ 1.256,87

$ 1.151,99

Envase tipo carrete

$ 1.038,65

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Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

HSMT-8

P-Channel

1 Channel

80 V

18 A

52 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 P-CH 80V 10A

RQ3N040ATTB1
ROHM Semiconductor
1: $ 2.858,83
2.900En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RQ3N040ATTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RQ3N040ATTB1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 P-CH 80V 10A

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2.900En existencias

Cinta cortada

$ 2.858,83

$ 1.810,03

$ 1.207,81

$ 948,99

Envase tipo carrete

$ 759,53

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Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

HSMT-8

P-Channel

1 Channel

80 V

10 A

126 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

15 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -20V -30A Si MOSFET

RQ3C150BCTB
ROHM Semiconductor
1: $ 3.129,48
3.175En existencias
3.000Se espera el 26/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
RQ3C150BCTB

N.º de artículo de Mouser
755-RQ3C150BCTB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -20V -30A Si MOSFET

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3.175En existencias

3.000Se espera el 26/10/2026

Cinta cortada

$ 3.129,48

$ 1.996,10

$ 1.332,99

$ 1.052,18

Envase tipo carrete

$ 845,81

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: 3.000

SMD/SMT

HSMT-8

P-Channel

1 Channel

20 V

30 A

6.7 mOhms

- 8 V, 8 V

1.2 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -20V -6A Si MOSFET

RQ5C060BCTCL
ROHM Semiconductor
1: $ 2.131,43
5.691En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RQ5C060BCTCL

N.º de artículo de Mouser
755-RQ5C060BCTCL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -20V -6A Si MOSFET

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Hoja de datos

5.691En existencias

Cinta cortada

$ 2.131,43

$ 1.332,99

$ 877,95

$ 681,72

Envase tipo carrete

$ 583,61

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: 3.000

SMD/SMT

SOT-346-3

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

21.1 mOhms

- 8 V, 8 V

1.2 V

19.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 4.5A Si MOSFET

RF6E045AJTCR
ROHM Semiconductor
1: $ 1.607,03
5.466En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RF6E045AJTCR

N.º de artículo de Mouser
755-RF6E045AJTCR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 4.5A Si MOSFET

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5.466En existencias

Cinta cortada

$ 1.607,03

$ 1.001,43

$ 649,58

$ 499,03

Envase tipo carrete

$ 385,69

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: 3.000

SMD/SMT

SOT-363T-6

N-Channel

1 Channel

30 V

4.5 A

23.7 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

8.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -20V -3.5A Si MOSFET

RQ5C035BCTCL
ROHM Semiconductor
1: $ 1.370,21
6.692En existencias
3.000Se espera el 26/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
RQ5C035BCTCL

N.º de artículo de Mouser
755-RQ5C035BCTCL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -20V -3.5A Si MOSFET

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6.692En existencias

3.000Se espera el 26/8/2026

Cinta cortada

$ 1.370,21

$ 850,88

$ 549,77

$ 419,52

Envase tipo carrete

$ 321,41

Ver

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SOT-346-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.5 A

59 mOhms

- 8 V, 8 V

1.2 V

6.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -20V(Vdss), -10.0A(Id), (1.8V Drive)

RF4C100BCTCR
ROHM Semiconductor
1: $ 2.232,93
1.600En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RF4C100BCTCR

N.º de artículo de Mouser
755-RF4C100BCTCR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -20V(Vdss), -10.0A(Id), (1.8V Drive)

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Hoja de datos

1.600En existencias

Cinta cortada

$ 2.232,93

$ 1.407,42

$ 927,00

$ 722,32

Envase tipo carrete

$ 570,07

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: 3.000

SMD/SMT

DFN-2020-8

P-Channel

1 Channel

20 V

10 A

15.6 mOhms

- 8 V, 8 V

1.2 V

23.5 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 6.0A(Id), (2.5V Drive)

RF4E060AJTCR
ROHM Semiconductor
1: $ 1.810,03
2.684En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RF4E060AJTCR

N.º de artículo de Mouser
755-RF4E060AJTCR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 6.0A(Id), (2.5V Drive)

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Hoja de datos

2.684En existencias

Cinta cortada

$ 1.810,03

$ 1.759,28

$ 1.155,37

$ 908,40

Envase tipo carrete

$ 416,14

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Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

DFN-2020-8

N-Channel

1 Channel

30 V

6 A

37 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

4 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 10A Si MOSFET

RF4E100AJTCR
ROHM Semiconductor
1: $ 2.503,59
2.762En existencias
3.000Se espera el 13/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
RF4E100AJTCR

N.º de artículo de Mouser
755-RF4E100AJTCR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 10A Si MOSFET

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2.762En existencias

3.000Se espera el 13/7/2026

Cinta cortada

$ 2.503,59

$ 1.571,51

$ 1.042,03

$ 815,36

Envase tipo carrete

$ 646,20

Ver

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

DFN-2020-8

N-Channel

1 Channel

30 V

10 A

12.4 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -20V -5.5A Si MOSFET

RF6C055BCTCR
ROHM Semiconductor
1: $ 2.046,85
1.931En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RF6C055BCTCR

N.º de artículo de Mouser
755-RF6C055BCTCR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -20V -5.5A Si MOSFET

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Hoja de datos

1.931En existencias

Cinta cortada

$ 2.046,85

$ 1.283,93

$ 844,11

$ 652,96

$ 592,06

Envase tipo carrete

$ 512,56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SOT-363T-6

P-Channel

1 Channel

20 V

5.5 A

25.8 mOhms

- 8 V, 8 V

1.2 V

15.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 3Ad Si MOSFET

RQ5E030AJTCL
ROHM Semiconductor
1: $ 1.302,54
4.861En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RQ5E030AJTCL

N.º de artículo de Mouser
755-RQ5E030AJTCL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 3Ad Si MOSFET

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4.861En existencias

Cinta cortada

$ 1.302,54

$ 805,21

$ 519,33

$ 394,15

Envase tipo carrete

$ 302,80

Ver

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SOT-346-3

N-Channel

1 Channel

30 V

3 A

75 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

2.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NPN Low VCE(sat) Transistor

RQ5E040AJTCL
ROHM Semiconductor
1: $ 1.420,96
4.991En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RQ5E040AJTCL

N.º de artículo de Mouser
755-RQ5E040AJTCL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NPN Low VCE(sat) Transistor

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4.991En existencias

Cinta cortada

$ 1.420,96

$ 884,71

$ 571,77

$ 436,44

Envase tipo carrete

$ 333,25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SOT-346-3

N-Channel

1 Channel

30 V

4 A

37 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

4.3 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -20V -6.5A Si MOSFET

RQ6C065BCTCR
ROHM Semiconductor
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RQ6C065BCTCR

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SMD/SMT

SOT-457-6

P-Channel

1 Channel

20 V

6.5 A

21 mOhms

- 8 V, 8 V

1.2 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 5.0A(Id), (2.5V Drive)

RQ6E050AJTCR
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SMD/SMT

SOT-457-6

N-Channel

1 Channel

30 V

5 A

35 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

4.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 11A Si MOSFET

RQ7E110AJTCR
ROHM Semiconductor
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RQ7E110AJTCR

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SMD/SMT

TSMT-8

N-Channel

1 Channel

30 V

11 A

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- 12 V, 12 V

1.5 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Nch+Nch Si MOSFET

UT6K3TCR
ROHM Semiconductor
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UT6K3TCR

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755-UT6K3TCR

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Nch+Nch Si MOSFET

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: 3.000

SMD/SMT

DFN-2020-8

N-Channel

2 Channel

30 V

5.5 A

42 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

4 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

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Low-Gate Drive Voltage MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

3.5 mOhms
6.7 mOhms
9 mOhms
11.7 mOhms
12.4 mOhms
15.6 mOhms
17 mOhms
21 mOhms
21.1 mOhms
23.7 mOhms
25.8 mOhms
35 mOhms
36 mOhms
37 mOhms
38 mOhms
42 mOhms
42 mOhms, 59 mOhms
48 mOhms
52 mOhms
59 mOhms

2.1 nC
3.5 nC
4 nC
4 nC, 6.5 nC
4.3 nC
4.7 nC
6.5 nC
8.1 nC
10.2 nC
10.4 nC
12 nC
13 nC
13.5 nC
15.2 nC
19.2 nC
22 nC
23.5 nC
39 nC
50 nC
60 nC