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SIZ240DT-T1-GE3

Name: Vishay SIZ240DT-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIZ240DT-T1-GE3
Price: 3210.48 ARS
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SIZ240DT-T1-GE3

Fabricante N.º:

SIZ240DT-T1-GE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL Symm.PowerPAIR 3 x 3

Hoja de datos:

SIZ240DT-T1-GE3 Hoja de datos

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Cinta cortada

MouseReel™ (+$ 6.000,00)

Precio (ARS)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$ 3.210,48	$ 3.210,48
	$ 2.031,12	$ 20.311,20
	$ 1.354,63	$ 135.463,00
	$ 1.110,56	$ 555.280,00
	$ 972,97	$ 972.970,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$ 894,35	$ 2.683.050,00
	$ 822,28	$ 4.933.680,00
	$ 771,50	$ 6.943.500,00

† $ 6.000,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAIR-3x3S-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	48 A, 47 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	8 mOhms, 8.4 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 16 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.4 V
Qg - Carga de puerta:	15.2 nC, 14.2 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	33 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	5 ns, 10 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	39 S, 55 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	6 ns, 55 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	23 ns, 25 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	15 ns, 25 ns
Peso de la unidad:	143,050 mg

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Models

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PCN

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

PowerPAIR® Dual-MOSFETs

Vishay PowerPAIR® Dual-MOSFETs combine optimized combinations of MOSFETs in one compact package. The co-packaged Vishay PowerPAIR Dual-MOSFETs use less space and offer increased performance over separate discretes. By having the two MOSFETs already connected inside the PowerPAIR package, layouts are made easier and parasitic inductance from PCB traces are reduced, increasing efficiency.

SiZ240DT Dual N-Channel 40V (D-S) MOSFET

Vishay SiZ240DT Dual N-Channel 40V (D-S) MOSFET features TrenchFET^® Gen IV power MOSFET technology, with integrated high- and low-side MOSFETs in one compact PowerPAIR^® 3.3mm² package. The SiZ240DT provides best-in-class on-resistance and on-resistance times gate charge, a key Figure of Merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications.