Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1:
$ 2.751,84
1.307 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ60S04M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
1.307 En existencias
1
$ 2.751,84
10
$ 2.031,12
100
$ 1.372,64
500
$ 1.087,63
2.000
$ 891,07
4.000
Ver
1.000
$ 997,54
4.000
$ 828,83
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición Motor H-Bridge Drvr Automotive; AEC-Q100
TB9057FG
Toshiba
1:
$ 14.185,08
1.735 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TB9057FG
Toshiba
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición Motor H-Bridge Drvr Automotive; AEC-Q100
1.735 En existencias
1
$ 14.185,08
10
$ 11.056,50
25
$ 10.286,64
100
$ 9.434,88
250
Ver
250
$ 9.205,56
1.000
$ 9.189,18
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet
SSM3K337R,LF
Toshiba
1:
$ 1.146,60
9.271 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K337RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet
9.271 En existencias
1
$ 1.146,60
10
$ 712,53
100
$ 463,55
500
$ 353,81
3.000
$ 263,72
6.000
Ver
1.000
$ 311,22
6.000
$ 248,98
9.000
$ 229,32
24.000
$ 204,75
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1:
$ 4.832,10
563 En existencias
2.000 Se espera el 10/4/2026
N.º de artículo de Mouser 757-TJ60S06M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
563 En existencias
2.000 Se espera el 10/4/2026
1
$ 4.832,10
10
$ 2.882,88
100
$ 2.113,02
500
$ 1.801,80
2.000
$ 1.572,48
4.000
Ver
1.000
$ 1.670,76
4.000
$ 1.462,73
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
TK65S04N1L,LQ
Toshiba
1:
$ 4.471,74
100 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK65S04N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
100 En existencias
1
$ 4.471,74
10
$ 2.899,26
100
$ 1.998,36
500
$ 1.615,07
1.000
$ 1.593,77
2.000
$ 1.318,59
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
TK90S06N1L,LQ
Toshiba
1:
$ 4.766,58
218 En existencias
2.000 Se espera el 2/3/2026
N.º de artículo de Mouser 757-TK90S06N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
218 En existencias
2.000 Se espera el 2/3/2026
1
$ 4.766,58
10
$ 3.112,20
100
$ 2.162,16
500
$ 1.801,80
2.000
$ 1.462,73
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V
SSM3H137TU,LF
Toshiba
1:
$ 1.146,60
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3H137TULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
1
$ 1.146,60
10
$ 707,62
100
$ 455,36
500
$ 345,62
3.000
$ 257,17
6.000
Ver
1.000
$ 311,22
6.000
$ 234,23
9.000
$ 203,11
24.000
$ 198,20
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
2.000:
$ 812,45
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
N.º de artículo de Mouser 757-TJ80S04M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
2.000
$ 812,45
4.000
$ 742,01
Comprar
Min.: 2.000 Mult.: 2.000
Detalles
Argentina
