MOSFET de potencia RQ3xFRATCB

Los MOSFET de potencia RQ3xFRATCB   de ROHM SemiconModule son MOSFET de grado automotriz con calificación AEC-Q101. Estos MOSFET cuentan con un rango de voltaje de drenaje a fuente de -40 V a 100 V, 8 terminales, disipación de potencia de hasta 69 W y corriente de drenaje continua de ±12 A a ±27 A. Los MOSFET de potencia RQ3xFRATCB están disponibles en canal N y canal P. Estos MOSFET de potencia se incluyen en un paquete compacto HSMT8AG de 3.3 mm x 3.3 mm. Los MOSFET de potencia RQ3xFRATCB son ideales para sistemas avanzados de conducción asistida (ADAS), infoentretenimiento, iluminación y cuerpo.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -40V -27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
Hoja de datos
3.830En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 40 V 27 A 22 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 32 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -40V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
Hoja de datos
2.997En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 40 V 12 A 48 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.5 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -60V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
Hoja de datos
2.795En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 60 V 12 A 106 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.7 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape