N01S830BAT22I

onsemi
863-N01S830BAT22I
N01S830BAT22I

Fabricante:

Descripción:
Tamaño de memoria RAM (SRAM) 1MB 3V BATT BU FUNCT

Modelo ECAD:
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Est. Tarifa:

Precio (ARS)

Cantidad Precio unitario
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$ 6.273,54 $ 62.735,40
$ 5.896,80 $ 117.936,00
$ 5.438,16 $ 271.908,00
$ 5.323,50 $ 532.350,00
$ 5.126,94 $ 1.025.388,00
$ 5.077,80 $ 2.538.900,00

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:
Embalaje:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
$ 8.796,06
Mín.:
1

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Tamaño de memoria RAM (SRAM)
RoHS:  
1 Mbit
128 k x 8
25 ns
20 MHz
SPI
5.5 V
2.5 V
20 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
TSSOP-8
Tube
Marca: onsemi
Tipo de memoria: SDR
Sensibles a la humedad: Yes
Tipo de producto: SRAM
Serie: N01S830
Cantidad de empaque de fábrica: 100
Subcategoría: Memory & Data Storage
Tipo: Synchronous
Peso de la unidad: 400 mg
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8542329000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542320041
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

N01S8 1Mb Ultra-Low Power Serial SRAM

onsemi N01S8x 1Mb Ultra-Low Power Serial SRAM offers high-speed performance and low power. onsemi N01S8x SRAM operates with a single chip select (CS) input and uses a simple SPI protocol. In SPI mode, a single data-in (SI) and data-out (SO) line is used along with the clock (SCK) to access data within these devices. In DUAL mode, two multiplexed data-in/data-out (SIO0-SIO1) lines are used. In QUAD mode, four multiplexed data-in/data-out (SIO0-SIO3) lines are used with the clock to access the memory. N01S8x SRAM operates over a wide temperature range of -40°C to +85°C and is offered in a 8-lead TSSOP package.