Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS)Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor
Tecnología
Id - Corriente de drenaje continua
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Frecuencia de trabajo
Ganancia
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
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149En existencias
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Carrete: 3.000

N-Channel GaN Si 25 A 650 V 65 mOhms - - - - 55 C + 150 C SMD/SMT PowerFLAT-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 250W 50V NI780H
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41En existencias
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N-Channel Si 110 V 960 MHz to 1.215 GHz 20.3 dB 27.5 W + 150 C SMD/SMT NI-780 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1-2690 MHz 125 W CW 50 V
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94En existencias
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Carrete: 50

GaN SiC 350 mA 125 V - 1 MHz to 2.7 GHz 16 dB 125 W - 55 C + 150 C Flange Mount Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power GaN Transistor, 3300 3800 MHz, 18 W Avg., 48 V
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N-Channel GaN Si 10 mA 125 V - 3.3 GHz to 3.7 GHz 14.1 dB 18 W - 55 C + 150 C SMD/SMT DFN-10 Reel, Cut Tape
Qorvo Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1.2-1.4 GHz discrete
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24En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

P-Channel GaN SiC 19 A 65 V 2 GHz 20.6 dB 56.3 dBm - 40 C + 85 C Flange Mount NI-400
Qorvo Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1.2-1.4 GHz discrete
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22En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

P-Channel GaN SiC 19 A 65 V 2 GHz 20.6 dB 56.3 dBm - 40 C + 85 C Flange Mount NI-400
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
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112En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 120

N-Channel Si 2.5 A 110 V 1 Ohms 1 GHz 19 dB 400 W - + 200 C SMD/SMT B4E-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
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20En existencias
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Carrete: 100

Dual N-Channel Si 2.5 A 95 V 1 Ohms 1 GHz 20 dB 120 W - + 200 C SMD/SMT LBB-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Qorvo Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN
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532En existencias
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- GaN SiC 250 mA 32 V - 4 GHz to 6 GHz 13 dB 5 W - 40 C + 85 C SMD/SMT QFN-16 Tray
Qorvo Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 0.03-4.0 GHz, 30W, 32V GaN RF Tr
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140En existencias
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- GaN SiC 1.8 A 32 V - 30 MHz to 4 GHz 19.3 dB 30 W - - SMD/SMT QFN-20
Toshiba Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 5A 20W 30V VDSS
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8.376En existencias
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Carrete: 1.000

N-Channel Si 5 A 30 V - 520 MHz 11.7 dB 7.5 W - + 150 C SMD/SMT PW-X-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
Qorvo Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) DC-3.5GHz 100W 28V GaN
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65En existencias
Min.: 1
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N-Channel GaN SiC 12 A 28 V - 3.5 GHz 14 dB 107 W - 40 C + 85 C Flange Mount NI-360 Tray
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
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81En existencias
Min.: 1
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Carrete: 50

Dual N-Channel Si 43 A - 500 mV, 179 V - 1.8 MHz to 400 MHz 25.1 dB 1.8 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT NI-1230H-4 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
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88En existencias
Min.: 1
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Carrete: 50

N-Channel Si 36 A 133 V - 1.8 MHz to 500 MHz 23 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230-4L Reel, Cut Tape
Toshiba Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS
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1.609En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.000

N-Channel Si 3 A 20 V - 520 MHz 11.4 dB 7 W - + 150 C SMD/SMT PW-X-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET
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389En existencias
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Carrete: 500

N-Channel Si 1.5 A 66 V - 1 GHz 21.1 dB 14 W - 65 C + 150 C SMD/SMT TO-270 Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB
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20En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 16 A 65 V - 100 MHz to 500 MHz 8 dB 150 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 375-04 Tray
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power GaN Transistor, 3400 3600 MHz, 7.6 W Avg., 48 V
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21En existencias
Min.: 1
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Carrete: 2.500

Dual N-Channel GaN Si 3.8 mA 125 V - 3.4 GHz to 3.6 GHz 13.5 dB 7.6 W - 55 C + 150 C SMD/SMT DFN-6 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics SD2932BW
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz 178En existencias
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N-Channel Si 40 A 125 V - 250 MHz 15 dB 300 W - + 200 C Flange Mount Tube
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150 W, 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
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11En existencias
Min.: 1
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Carrete: 100

N-Channel Si 2.5 A 28 V 1 Ohms 945 MHz 16 dB 150 W - + 200 C Through Hole LBB-4 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power GaN Transistor, 100-2690 MHz, 8 W Avg., 48 V
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653En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Dual N-Channel GaN Si 3 mA 125 V - 100 MHz to 2.69 GHz 13.9 dB 8 W - 55 C + 150 C SMD/SMT DFN-6 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
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30En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
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Carrete: 120

N-Channel Si 2.5 A 65 V 1 Ohms 1.6 GHz 14 dB 180 W - + 200 C SMD/SMT B4E-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 35 W CW over 1.8-512 MHz, 65 V
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103En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 50

N-Channel Si 100 mA 193 V - 1.8 MHz to 512 MHz 24.8 dB 35 W - 40 C + 150 C Screw Mounts NI-360H-2SB Reel, Cut Tape
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB
Hoja de datos
571En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 9 A 65 V - 200 MHz 13 dB 80 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 221-11-3 Tray
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB
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404En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 4.5 A 65 V - 150 MHz 17 dB 45 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 211-07-3 Tray