Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB65R095C7ATMA2
Infineon Technologies
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Cinta cortada

$ 9.746,10

$ 6.535,62

$ 4.701,06

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Envase tipo carrete

$ 4.340,70

MouseReel Disponible

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1 Channel

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24 A

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- 20 V, 20 V

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7

IPP65R045C7
Infineon Technologies
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774En existencias

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7

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774En existencias

$ 16.199,82

$ 12.678,12

$ 10.565,10

$ 9.402,12

$ 8.796,06

Min.: 1
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

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- 20 V, 20 V

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7

IPW65R019C7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7

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815En existencias

$ 32.072,04

$ 26.404,56

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$ 22.817,34

Presupuesto

Min.: 1
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TO-247-3

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1 Channel

650 V

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- 20 V, 20 V

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446 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 46A TO247-4

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Infineon Technologies
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636En existencias

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 46A TO247-4

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636En existencias

$ 18.886,14

$ 15.118,74

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$ 11.203,92

$ 10.483,20

Min.: 1
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1 Channel

650 V

46 A

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+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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$ 12.285,00

$ 9.172,80

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWERNEW

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Infineon Technologies
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901En existencias

$ 9.533,16

$ 7.633,08

$ 6.175,26

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$ 4.864,86

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650 V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7

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IPL65R230C7

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6.349En existencias

Cinta cortada

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Envase tipo carrete

$ 1.736,28

MouseReel Disponible

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Infineon Technologies
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726-IPD65R190C7

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1.244En existencias

Cinta cortada

$ 5.389,02

$ 3.505,32

$ 2.571,66

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$ 1.867,32

Envase tipo carrete

$ 1.867,32

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SMD/SMT

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1 Channel

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CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4

IPZ65R019C7
Infineon Technologies
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IPZ65R019C7

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726-IPZ65R019C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4

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93En existencias

$ 33.136,74

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$ 23.570,82

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N-Channel

1 Channel

650 V

75 A

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446 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZ65R065C7
Infineon Technologies
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221En existencias

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IPZ65R065C7

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726-IPZ65R065C7

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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221En existencias

$ 14.627,34

$ 10.647,00

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$ 7.387,38

Min.: 1
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Through Hole

TO-247-4

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1 Channel

650 V

33 A

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R065C7
Infineon Technologies
1: $ 12.285,00
244En existencias

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IPA65R065C7

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726-IPA65R065C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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244En existencias

$ 12.285,00

$ 9.172,80

$ 7.420,14

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3 V

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+ 150 C

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Infineon Technologies
1: $ 16.674,84
1.444En existencias
2.000Se espera el 2/3/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R045C7ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R045C7ATMA2

Infineon Technologies

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1.444En existencias

2.000Se espera el 2/3/2026

Cinta cortada

$ 16.674,84

$ 11.498,76

$ 9.451,26

Envase tipo carrete

$ 8.796,06

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB65R065C7ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 12.891,06
702En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R065C7ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R065C7ATMA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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702En existencias

Cinta cortada

$ 12.891,06

$ 8.779,68

$ 6.748,56

Envase tipo carrete

$ 6.306,30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

650 V

33 A

65 mOhms

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4 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB65R190C7ATMA2
Infineon Technologies
1: $ 5.700,24
1.290En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R190C7ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R190C7ATMA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1.290En existencias

Cinta cortada

$ 5.700,24

$ 3.734,64

$ 2.604,42

$ 2.260,44

Envase tipo carrete

$ 2.113,02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-263

N-Channel

1 Channel

650 V

13 A

404 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7

IPD65R225C7
Infineon Technologies
1: $ 4.619,16
2.704En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R225C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R225C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7

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Hoja de datos

2.704En existencias

Cinta cortada

$ 4.619,16

$ 2.997,54

$ 2.063,88

$ 1.687,14

$ 1.611,79

Envase tipo carrete

$ 1.570,84

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

225 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R095C7
Infineon Technologies
1: $ 9.762,48
242En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R095C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R095C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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Hoja de datos

242En existencias

$ 9.762,48

$ 6.814,08

$ 5.618,34

$ 4.766,58

$ 4.340,70

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

12 A

84 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R065C7
Infineon Technologies
1: $ 12.874,68
214En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R065C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R065C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

214En existencias

$ 12.874,68

$ 9.369,36

$ 7.796,88

$ 6.945,12

$ 6.502,86

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

65 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R190C7
Infineon Technologies
1: $ 7.043,40
43En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R190C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R190C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

43En existencias

$ 7.043,40

$ 4.619,16

$ 3.472,56

$ 3.063,06

$ 2.719,08

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

13 A

168 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R045C7
Infineon Technologies
1: $ 16.199,82
185En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R045C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R045C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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Hoja de datos

185En existencias

$ 16.199,82

$ 12.678,12

$ 10.778,04

$ 9.140,04

$ 8.796,06

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

93 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R125C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 7.436,52
73En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R125C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R125C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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Hoja de datos

73En existencias

$ 7.436,52

$ 3.849,30

$ 3.505,32

$ 3.144,96

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

10 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R190C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 5.536,44
377En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R190C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R190C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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Hoja de datos

377En existencias

$ 5.536,44

$ 3.276,00

$ 2.817,36

$ 2.047,50

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

168 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP65R095C7
Infineon Technologies
1: $ 9.762,48
143En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R095C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R095C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

143En existencias

$ 9.762,48

$ 6.814,08

$ 5.618,34

$ 4.766,58

$ 4.340,70

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

84 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

128 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7

IPW65R045C7
Infineon Technologies
1: $ 16.986,06
206En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R045C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R045C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7

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$ 13.284,18

$ 11.072,88

$ 9.860,76

$ 9.221,94

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

93 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP65R125C7
Infineon Technologies
500: $ 3.439,80
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R125C7

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726-IPP65R125C7

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

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$ 3.144,96

Min.: 500
Mult.: 500

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

111 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

101 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS C7 Power Trans; 225mOhm

IPP65R225C7
Infineon Technologies
500: $ 1.965,60
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R225C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R225C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS C7 Power Trans; 225mOhm

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Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas

$ 1.965,60

$ 1.719,90

Min.: 500
Mult.: 500

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

199 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

CoolMOS

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