Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Trench 9 Superjunction MOSFETs

Nexperia Trench 9 Superjunction MOSFETs combine low voltage superjunction technology with advanced packaging design to deliver high performance and ruggedness. Trench 9 MOSFETs are all qualified to AEC-Q101, and exceed the requirements of this international automotive standard by as much as two times on key reliability tests, including Temperature Cycling (TC), High-Temperature Gate Bias (HTGB), High-Temperature Reverse Bias (HTRB), and Intermittent Operating Life (IOL).

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Resultados: 17

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 40V 190A

BUK7J1R4-40HX
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BUK7J1R4-40HX

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771-BUK7J1R4-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 40V 190A

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$ 6.486,48

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Envase tipo carrete

$ 2.129,40

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Mult.: 1

Carrete: 1.500

SMD/SMT

LFPAK-56E-4

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

740 uOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

126 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Trench 9

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

BUK7Y3R5-40HX
Nexperia
1: $ 2.669,94
6.467En existencias

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BUK7Y3R5-40HX

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771-BUK7Y3R5-40HX

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

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Cinta cortada

$ 2.669,94

$ 1.736,28

$ 1.244,88

$ 1.105,65

Envase tipo carrete

$ 547,09

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.500

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 190A

BUK9Y1R3-40HX
Nexperia
1: $ 5.274,36
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BUK9Y1R3-40HX

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771-BUK9Y1R3-40HX

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$ 5.274,36

$ 3.439,80

$ 2.620,80

$ 2.342,34

Envase tipo carrete

$ 1.284,19

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SMD/SMT

LFPAK-56-5

N-Channel

1 Channel

40 V

190 A

1.3 mOhms

- 10 V, 16 V

2.05 V

99 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

BUK9Y2R8-40HX
Nexperia
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BUK9Y2R8-40HX

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771-BUK9Y2R8-40HX

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Envase tipo carrete

$ 789,52

$ 730,55

$ 699,43

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Mult.: 1.500

Carrete: 1.500

SMD/SMT

LFPAK-56-5

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2.8 mOhms

- 10 V, 16 V

2.05 V

4.7 nC

- 55 C

+ 175 C

172 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 68A

BUK7Y7R0-40HX
Nexperia
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2.203En existencias

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BUK7Y7R0-40HX

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771-BUK7Y7R0-40HX

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 68A

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Cinta cortada

$ 1.916,46

$ 1.205,57

$ 794,43

$ 615,89

Envase tipo carrete

$ 527,44

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Carrete: 1.500

SMD/SMT

LFPAK-56-4

N-Channel

1 Channel

40 V

68 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

64 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 190A

BUK7Y1R4-40HX
Nexperia
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103En existencias
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BUK7Y1R4-40HX

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771-BUK7Y1R4-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 190A

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Cinta cortada

$ 5.307,12

$ 3.390,66

$ 2.571,66

$ 2.309,58

Envase tipo carrete

$ 1.536,44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.500

SMD/SMT

LFPAK-56-5

N-Channel

1 Channel

40 V

190 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

103 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 40V 42A

BUK9K13-40HX
Nexperia
1: $ 2.800,98
176En existencias
1.500Se espera el 8/2/2027

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BUK9K13-40HX

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771-BUK9K13-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 40V 42A

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176En existencias

1.500Se espera el 8/2/2027

Cinta cortada

$ 2.800,98

$ 1.752,66

$ 1.310,40

$ 1.164,62

Envase tipo carrete

$ 619,16

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1.500

SMD/SMT

LFPAK-56D-8

N-Channel

2 Channel

40 V

42 A

13.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 40V 220A

BUK7J1R0-40HX
Nexperia
1: $ 7.289,10
2.990Se espera el 7/12/2026

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BUK7J1R0-40HX

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771-BUK7J1R0-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 40V 220A

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2.990Se espera el 7/12/2026

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$ 7.289,10

$ 4.733,82

$ 3.636,36

$ 3.292,38

Envase tipo carrete

$ 2.375,10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.500

SMD/SMT

LFPAK-56E-4

N-Channel

1 Channel

40 V

220 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

131 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

BUK7Y2R0-40HX
Nexperia
1: $ 4.176,90
2.990Se espera el 8/2/2027

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BUK7Y2R0-40HX

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771-BUK7Y2R0-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

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2.990Se espera el 8/2/2027

Cinta cortada

$ 4.176,90

$ 2.653,56

$ 1.998,36

$ 1.785,42

Envase tipo carrete

$ 1.249,79

$ 1.159,70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.500

SMD/SMT

LFPAK-56-5

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.07 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

90.5 nC

- 55 C

+ 175 C

217 W

Enhancement

Trench 9

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

BUK7Y1R7-40HX
Nexperia
1: $ 4.733,82
1.496Se espera el 2/3/2026

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BUK7Y1R7-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK7Y1R7-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

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Hoja de datos

1.496Se espera el 2/3/2026

Cinta cortada

$ 4.733,82

$ 3.013,92

$ 2.276,82

$ 2.031,12

Envase tipo carrete

$ 1.420,15

$ 1.316,95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.500

SMD/SMT

LFPAK-56-5

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

950 uOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

Trench 9

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

BUK7Y2R5-40HX
Nexperia
1: $ 3.194,10
1.500Se espera el 21/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
BUK7Y2R5-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK7Y2R5-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

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1.500Se espera el 21/12/2026

Cinta cortada

$ 3.194,10

$ 2.047,50

$ 1.965,60

$ 1.374,28

Envase tipo carrete

$ 950,04

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.500

SMD/SMT

LFPAK-56-5

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

79 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

Trench 9

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

BUK7Y3R0-40HX
Nexperia
1: $ 2.686,32
2.998Se espera el 8/2/2027

N.º de artículo del Fabricante
BUK7Y3R0-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK7Y3R0-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

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Hoja de datos

2.998Se espera el 8/2/2027

Cinta cortada

$ 2.686,32

$ 1.703,52

$ 1.601,96

$ 1.140,05

Envase tipo carrete

$ 778,05

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.500

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

172 W

Enhancement

Trench 9

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 70A

BUK9Y6R5-40HX
Nexperia
1: $ 1.031,94
1.500Se espera el 30/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
BUK9Y6R5-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK9Y6R5-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 70A

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Hoja de datos

1.500Se espera el 30/11/2026

Cinta cortada

$ 1.031,94

$ 653,56

$ 570,02

$ 530,71

Envase tipo carrete

$ 476,66

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.500

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

40 V

70 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.15 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

64 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

BUK9Y2R4-40HX
Nexperia
1.500: $ 977,89
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BUK9Y2R4-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK9Y2R4-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas

Envase tipo carrete

$ 977,89

$ 907,45

$ 871,42

Min.: 1.500
Mult.: 1.500

Carrete: 1.500

LFPAK-56-5

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 40V 220A

BUK9J0R9-40HX
Nexperia
1.500: $ 1.949,22
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BUK9J0R9-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK9J0R9-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 40V 220A

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

$ 1.949,22

$ 1.916,46

Min.: 1.500
Mult.: 1.500

Carrete: 1.500

SMD/SMT

LFPAK-56E-4

N-Channel

1 Channel

40 V

220 A

940 uOhms

- 16 V, 16 V

1.35 V

168 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

BUK9Y1R6-40HX
Nexperia
1.500: $ 1.187,55
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BUK9Y1R6-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK9Y1R6-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

$ 1.187,55

$ 1.105,65

$ 1.077,80

Min.: 1.500
Mult.: 1.500

Carrete: 1.500

LFPAK-56-5

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

BUK9Y1R9-40HX
Nexperia
1.500: $ 1.012,28
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BUK9Y1R9-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK9Y1R9-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

$ 1.012,28

$ 940,21

$ 902,54

Min.: 1.500
Mult.: 1.500

Carrete: 1.500

LFPAK-56-5

Reel

Trench 9 Superjunction MOSFETs

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