GaN FETs – Mouser Argentina

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CoolGaN™ 650V G5 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5 Transistors feature highly efficient gallium nitride (GaN) transistor technology for power conversion. The 650V G5 family addresses consumer, data center, industrial, and solar application challenges. The transistors offer improved system efficiency and power density with ultra-fast switching capability. The CoolGaN technology provides discrete and integrated solutions designed to enhance overall system performance. The Infineon Technologies CoolGaN 650V G5 Transistors enable high operating frequencies and reduce EMI ratings. The transistors are ideal for power distribution, switch-mode power supplies (SMPS), telecommunications, and other industrial applications.

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

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Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration

IGI65D1414A3MSXUMA1
Infineon Technologies
1: $ 11.613,42
2.392En existencias
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IGI65D1414A3MSXUMA1

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726-IGI65D1414A3MSXU

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration

Hoja de datos

2.392En existencias

Cinta cortada

$ 11.613,42

$ 7.846,02

$ 5.847,66

$ 5.290,74

Envase tipo carrete

$ 4.782,96

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

QFN-32

N-Channel

2 Channel

650 V

170 mOhms

1.6 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

IGL65R055D2XUMA1
Infineon Technologies
1: $ 10.188,36
2.102En existencias
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IGL65R055D2XUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGL65R055D2XUMA1

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Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

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2.102En existencias

Cinta cortada

$ 10.188,36

$ 7.813,26

$ 6.322,68

$ 5.618,34

$ 5.438,16

Envase tipo carrete

$ 4.602,78

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

22 A

70 mOhms

- 10 V

1.6 V

4.7 nC

- 55 C

+ 150 C

111 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

IGL65R080D2XUMA1
Infineon Technologies
1: $ 8.402,94
2.592En existencias
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IGL65R080D2XUMA1

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726-IGL65R080D2XUMA1

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Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

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Cinta cortada

$ 8.402,94

$ 6.027,84

$ 4.324,32

$ 4.193,28

Envase tipo carrete

$ 3.423,42

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

18 A

100 mOhms

- 10 V

1.6 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

81 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

IGL65R110D2XUMA1
Infineon Technologies
1: $ 7.043,40
2.659En existencias
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$ 3.619,98

$ 3.046,68

Envase tipo carrete

$ 2.489,76

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

16 A

140 mOhms

- 10 V

1.6 V

2.4 nC

- 55 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

IGL65R140D2XUMA1
Infineon Technologies
1: $ 6.109,74
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IGL65R140D2XUMA1

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726-IGL65R140D2XUMA1

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Cinta cortada

$ 6.109,74

$ 3.996,72

$ 2.800,98

$ 2.473,38

Envase tipo carrete

$ 2.014,74

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

13 A

170 mOhms

- 10 V

1.6 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

47 W

Enhancement

CoolGaN

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IGLD65R055D2AUMA1
Infineon Technologies
1: $ 11.089,26
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$ 8.108,10

$ 6.552,00

$ 5.831,28

$ 4.995,90

Envase tipo carrete

$ 4.995,90

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

PG-LSON-8

HEMT

1 Channel

650 V

20 A

70 mOhms

- 10 V

1.2 V

4.7 nC

- 55 C

+ 150 C

91 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

IGLD65R080D2AUMA1
Infineon Technologies
1: $ 8.566,74
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$ 4.471,74

$ 4.357,08

$ 4.127,76

Envase tipo carrete

$ 3.554,46

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

PG-LSON-8

HEMT

1 Channel

650 V

18 A

100 mOhms

- 10 V

1.2 V

3.3 nC

- 55 C

+ 150 C

68 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

IGLD65R110D2AUMA1
Infineon Technologies
1: $ 7.305,48
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$ 2.686,32

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

PG-LSON-8

HEMT

1 Channel

650 V

20 A

140 mOhms

- 10 V

1.2 V

2.4 nC

- 55 C

+ 150 C

51 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

IGLD65R140D2AUMA1
Infineon Technologies
1: $ 6.289,92
2.767En existencias
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IGLD65R140D2AUMA1

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Envase tipo carrete

$ 2.096,64

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

PG-LSON-8

HEMT

1 Channel

650 V

12 A

170 mOhms

- 10 V

1.2 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

IGT65R025D2ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 19.197,36
1.373En existencias
2.000Se espera el 12/3/2026
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1.373En existencias

2.000Se espera el 12/3/2026

Cinta cortada

$ 19.197,36

$ 15.626,52

$ 13.022,10

$ 11.613,42

$ 10.925,46

Envase tipo carrete

$ 9.271,08

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

PG-HSOF-8

HEMT

1 Channel

650 V

70 A

30 mOhms

- 10 V

1.6 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

236 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

IGT65R035D2ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 16.380,00
2.000En existencias
2.000En pedido
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IGT65R035D2ATMA1

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726-IGT65R035D2ATMA1

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$ 16.380,00

$ 12.416,04

$ 10.352,16

$ 9.221,94

$ 8.206,38

Envase tipo carrete

$ 8.206,38

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

PG-HSOF-8

HEMT

1 Channel

650 V

49 A

42 mOhms

- 10 V

1.6 V

7.7 nC

- 55 C

+ 150 C

167 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

IGT65R045D2ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 13.136,76
1.859En existencias
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IGT65R045D2ATMA1

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726-IGT65R045D2ATMA1

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Infineon Technologies

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Cinta cortada

$ 13.136,76

$ 9.271,08

$ 7.714,98

$ 6.879,60

$ 6.126,12

Envase tipo carrete

$ 6.126,12

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

PG-HSOF-8

HEMT

1 Channel

650 V

38 A

54 mOhms

- 10 V

1.6 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

131 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

IGT65R055D2ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 10.401,30
1.325En existencias
Nuevo producto

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IGT65R055D2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGT65R055D2ATMA1

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Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

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1.325En existencias

Cinta cortada

$ 10.401,30

$ 7.960,68

$ 6.437,34

$ 5.733,00

$ 5.552,82

Envase tipo carrete

$ 4.701,06

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

PG-HSOF-8

HEMT

1 Channel

650 V

31 A

66 mOhms

- 10 V

1.6 V

4.7 nC

- 55 C

+ 150 C

106 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

IGT65R140D2ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 6.208,02
1.627En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IGT65R140D2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGT65R140D2ATMA1

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Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

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1.627En existencias

Cinta cortada

$ 6.208,02

$ 4.062,24

$ 2.850,12

$ 2.522,52

Envase tipo carrete

$ 2.047,50

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

PG-HSOF-8

HEMT

1 Channel

650 V

13 A

170 mOhms

- 10 V

1.6 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

47 W

Enhancement

CoolGaN

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