Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

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Tube

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IPB60R099P7ATMA1
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CoolMOS

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Envase tipo carrete

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Tube

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Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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90 nC

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201 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPL60R125P7AUMA1
Infineon Technologies
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Enhancement

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IPL60R185P7AUMA1
Infineon Technologies
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IPL60R185P7AUMA1

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726-IPL60R185P7AUMA1

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2.450En existencias

Cinta cortada

$ 4.537,26

$ 2.932,02

$ 2.031,12

$ 1.654,38

$ 1.575,76

Envase tipo carrete

$ 1.536,44

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

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3 V

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81 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPP60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 6.846,84
947En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R099P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099P7XKSA1

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947En existencias

$ 6.846,84

$ 3.521,70

$ 3.194,10

$ 2.817,36

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

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1 Channel

600 V

31 A

77 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

117 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 4.455,36
5.752En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R180P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

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5.752En existencias

$ 4.455,36

$ 2.211,30

$ 1.998,36

$ 1.600,33

$ 1.567,57

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 7.387,38
1.027En existencias

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IPW60R099P7XKSA1

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726-IPW60R099P7XKSA1

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1.027En existencias

$ 7.387,38

$ 4.422,60

$ 3.652,74

$ 3.636,36

$ 3.407,04

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

77 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

117 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R160P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 4.750,20
366En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R160P7XKSA1

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726-IPA60R160P7XKSA1

Infineon Technologies

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366En existencias

$ 4.750,20

$ 2.358,72

$ 2.129,40

$ 1.703,52

$ 1.638,00

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23.8 A

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- 20 V, 20 V

4 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN60R180P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 3.701,88
783En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPAN60R180P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN60R180P7SXKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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783En existencias

$ 3.701,88

$ 1.801,80

$ 1.616,71

$ 1.397,21

$ 1.210,48

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

340 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

25 nC

- 40 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R080P7ATMA1
Infineon Technologies
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611En existencias
1.000Se espera el 10/3/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R080P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R080P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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611En existencias

1.000Se espera el 10/3/2026

Cinta cortada

$ 8.009,82

$ 5.323,50

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$ 3.570,84

Envase tipo carrete

$ 3.341,52

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

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1 Channel

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37 A

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- 20 V, 20 V

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51 nC

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129 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
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970En existencias
2.000En pedido

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IPB60R180P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R180P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

970En existencias

2.000En pedido

Cinta cortada

$ 4.602,78

$ 2.981,16

$ 2.063,88

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Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R160P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 4.750,20
238En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R160P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R160P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

81 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 6.863,22
642En existencias

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IPA60R099P7XKSA1

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726-IPA60R099P7XKSA1

Infineon Technologies

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

77 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R180P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: $ 3.374,28
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IPA60R180P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R180P7SXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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$ 1.064,70

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 40 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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