Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs are high-performance N-channel transistors designed for demanding power conversion applications. These MOSFETs offer very low on-resistance, superior thermal resistance, and excellent Miller ratio for dv/dt ruggedness. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are optimized for both hard-switching and soft-switching topologies, and FOM_oss. These MOSFETs are 100% avalanche tested and are RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are halogen-free according to IEC61249‑2‑21.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1
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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

348 A

640 uOhms

16 V

2 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

130 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

422 A

500 uOhms

12 V

1.7 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

406 A

540 uOhms

16 V

2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

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N-Channel

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25 V

298 A

500 uOhms

16 V

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25 V

338 A

680 uOhms

16 V

2 V

22 nC

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+ 175 C

130 W

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IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1
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25 V

282 A

800 uOhms

16 V

2 V

17.2 nC

- 55 C

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107 W

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IQEH84NE2LM7UCGATMA1
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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

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275 A

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16 V

2 V

17.2 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

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OptiMOS

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ISC019N08NM7ATMA1
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Presupuesto

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SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

209 A

1.9 mOhms

20 V

3.2 V

60 nC

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188 W

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1
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1: $ 5.438,16
873En existencias
6.000Se espera el 16/2/2026
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IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1

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6.000Se espera el 16/2/2026

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$ 2.194,92

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N-Channel

1 Channel

25 V

430 A

480 uOhms

12 V

1.7 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

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