Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low R_DS(ON), low Q_G, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.

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Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS4D7N04XMT1G
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NTMFS4D7N04XMT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

66 A

4.7 mOhms

20 V

3.5 V

10.4 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 25V PC33 SOURCE DOWN

NTTFSSCH0D7N02X
onsemi
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Envase tipo carrete

$ 1.310,40

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SMD/SMT

WDFN-9

N-Channel

1 Channel

25 V

310 A

580 uOhms

- 12 V, 16 V

2 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

87 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 40V PC33 SOURCE DOWN GEN 2

NTTFSSH1D3N04XL
onsemi
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 40V PC33 SOURCE DOWN GEN 2

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$ 2.113,02

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$ 1.382,47

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WDFN-9

N-Channel

1 Channel

40 V

207 A

1.3 mOhms

20 V

2.2 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NVMFWS1D3N04XMT1G
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SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

195 A

1.3 mOhms

20 V

3.5 V

38.6 nC

- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NVMFWS0D63N04XMT1G
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DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

384 A

600 uOhms

20 V

3.5 V

92.2 nC

- 55 C

+ 175 C

157 W

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NTTFS1D4N04XMTAG
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NTTFS1D4N04XMTAG

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WDFN-8

N-Channel

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40 V

178 A

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20 V

3.5 V

35.4 nC

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83 W

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NTTFS4D9N04XMTAG
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NTTFS4D9N04XMTAG

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WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

65 A

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3.5 V

10.4 nC

- 55 C

+ 175 C

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NVMFWS004N04XMT1G
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NVMFWS004N04XMT1G

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$ 725,63

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SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

66 A

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- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE

NVMFWS0D6N04XMT1G
onsemi
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NVMFWS0D6N04XMT1G

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$ 2.260,44

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DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

380 A

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20 V

3.5 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NVMFWS1D1N04XMT1G
onsemi
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6.000Se espera el 18/9/2026
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NVMFWS1D1N04XMT1G

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$ 4.373,46

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$ 1.587,22

$ 1.397,21

Envase tipo carrete

$ 1.397,21

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SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

233 A

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20 V

3.5 V

49.3 nC

- 55 C

+ 175 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NVMFWS2D9N04XMT1G
onsemi
1: $ 2.899,26
1.999En existencias
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NVMFWS2D9N04XMT1G

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863-VMFWS2D9N04XMT1G

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$ 876,33

Envase tipo carrete

$ 876,33

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

94 A

3.1 mOhms

20 V

3.5 V

15.7 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL GEN 2 PACKAGE

NVTFWS1D3N04XMTAG
onsemi
1: $ 4.324,32
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NVTFWS1D3N04XMTAG

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863-VTFWS1D3N04XMTAG

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$ 4.324,32

$ 2.768,22

$ 1.883,70

$ 1.567,57

Envase tipo carrete

$ 1.276,00

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Mult.: 1

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SMD/SMT

WDFNW-8

N-Channel

1 Channel

40 V

178 A

1.43 mOhms

20 V

3.5 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 40 V, 66 A, 4.9 mohm

NVTFWS4D9N04XMTAG
onsemi
1: $ 1.228,50
920En existencias
1.500Se espera el 18/2/2026
Nuevo producto

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NVTFWS4D9N04XMTAG

N.º de artículo de Mouser
863-VTFWS4D9N04XMTAG

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onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 40 V, 66 A, 4.9 mohm

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1.500Se espera el 18/2/2026

Cinta cortada

$ 1.228,50

$ 869,78

$ 684,68

$ 633,91

Envase tipo carrete

$ 591,32

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.500

SMD/SMT

WDFNW-8

N-Channel

1 Channel

40 V

66 A

4.9 mOhms

20 V

3.5 V

10.6 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 80 V, 77 A, 6.2mohm Single N-Channel

NTMYS006N08LHTWG
onsemi
1: $ 5.290,74
2.045En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
NTMYS006N08LHTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS006N08LHTWG

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onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 80 V, 77 A, 6.2mohm Single N-Channel

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Cinta cortada

$ 5.290,74

$ 3.439,80

$ 2.522,52

$ 2.113,02

$ 1.965,60

Envase tipo carrete

$ 1.654,38

Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

80 V

77 A

7.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 80 V, 42A, 13.1mohm Single N-Channel

NTMYS013N08LHTWG
onsemi
1: $ 4.570,02
2.950En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS013N08LHTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS013N08LHTWG

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onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 80 V, 42A, 13.1mohm Single N-Channel

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Cinta cortada

$ 4.570,02

$ 2.948,40

$ 2.113,02

$ 1.769,04

Envase tipo carrete

$ 1.384,11

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

80 V

42 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

53 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 80 V, 30A, 19.5mohm Single N-Channel

NTMYS020N08LHTWG
onsemi
1: $ 4.307,94
3.000En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
NTMYS020N08LHTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS020N08LHTWG

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onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 80 V, 30A, 19.5mohm Single N-Channel

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3.000En existencias

Cinta cortada

$ 4.307,94

$ 2.784,60

$ 1.981,98

$ 1.670,76

$ 1.536,44

Envase tipo carrete

$ 1.303,85

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

80 V

30 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

12 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 80 V, 22A, 29mohm Single N-Channel

NTMYS029N08LHTWG
onsemi
1: $ 4.389,84
2.740En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS029N08LHTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS029N08LHTWG

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 80 V, 22A, 29mohm Single N-Channel

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2.740En existencias

Cinta cortada

$ 4.389,84

$ 2.817,36

$ 1.916,46

$ 1.593,77

$ 1.475,84

Envase tipo carrete

$ 1.253,07

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

80 V

22 A

38 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

4 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T8 IN 3X3 SD PACKAGE

NTTFSS002N04HL
onsemi
1: $ 4.275,18
2.795En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NTTFSS002N04HL

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFSS002N04HL

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onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T8 IN 3X3 SD PACKAGE

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2.795En existencias

Cinta cortada

$ 4.275,18

$ 2.768,22

$ 1.900,08

$ 1.524,98

Envase tipo carrete

$ 1.251,43

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

WDFN-9

N-Channel

1 Channel

40 V

150 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

20.3 nC

- 55 C

+ 150 C

84 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 80V, 253 A, 1.5 mohm

NVMFWS1D5N08XT1G
onsemi
1: $ 7.190,82
1.816En existencias
6.000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWS1D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFWS1D5N08XT1G

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onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 80V, 253 A, 1.5 mohm

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1.816En existencias

6.000En pedido

Cinta cortada

$ 7.190,82

$ 4.717,44

$ 3.914,82

$ 3.128,58

Envase tipo carrete

$ 2.850,12

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

80 V

253 A

1.43 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 80V, 201 A, 1.9 mohm

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DFNW5

N-Channel

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DFNW5

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80 V

156 A

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- 20 V, 20 V

3.6 V

45 nC

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DFNW-5

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TCPAK57

N-Channel

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198 A

1.49 mOhms

- 20 V, 20 V

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SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

14 A

67 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

6 nC

- 55 C

+ 175 C

23 W

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NVMFWS2D1N08XT1G
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181 A

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- 20 V, 20 V

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Single N-Channel Power MOSFETs

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77 A
79 A
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119 A
121 A
132 A
135 A
140 A
150 A
156 A
178 A

570 uOhms
580 uOhms
600 uOhms
1.05 mOhms
1.3 mOhms
1.43 mOhms
1.49 mOhms
1.9 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.35 mOhms
2.55 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.5 mOhms
4.3 mOhms
4.5 mOhms
4.7 mOhms
4.9 mOhms
5.3 mOhms

4 nC
6 nC
10.4 nC
10.6 nC
12 nC
15.7 nC
17 nC
19 nC
20.3 nC
22.2 nC
24 nC
25 nC
28 nC
32 nC
33 nC
34 nC
35.4 nC
36 nC
38 nC
38.6 nC

23 W
33 W
38 W
42 W
50 W
53 W
63 W
68 W
73 W
82 W
83 W
84 W
87 W
89 W
90 W
104 W
107 W
113 W
119 W
133 W