MXP120A MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs

Vishay Semiconductors MXP120A MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs feature 1200V drain-source voltage, fast switching speed, and 3μs short circuit withstand time. These MOSFETs also feature maximum power dissipation of 56W to 268W (Tc=25°C) and continuous drain current of 10.5A to 52A (Tc=25°C). The MXP120A MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs are halogen-free and are available in TO-247 3L, TO-247 4L, and TO-263 7L packages. These MOSFETs are used in chargers, auxiliary motor drives, and DC-DC converters.

Resultados: 16
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL (SIC) MOSFET
Hoja de datos
2.313En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 2.69 V 47.3 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors MXP120A045SE-T1GE3
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
800Se espera el 25/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors MXP120A045SL-GE3
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
600Se espera el 18/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors MXP120A045SW-GE3
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
600Se espera el 18/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 84 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors MXP120A063SE-T1GE3
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
800Se espera el 16/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors MXP120A063SL-GE3
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
600Se espera el 16/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors MXP120A080SE-T1GE3
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
800Se espera el 16/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors MXP120A080SL-GE3
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
600Se espera el 16/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 45 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
Vishay Semiconductors MXPQ120A045SE-1GE3
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
800Se espera el 3/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors MXPQ120A045SW-GE3
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
600Se espera el 6/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors MXPQ120A063SL-GE3
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
600Se espera el 21/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors MXPQ120A080SL-GE3
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
600Se espera el 17/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 57 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 56 mOhms - 10 V, + 22 V 2.38 V 75.6 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 57 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 56 mOhms - 10 V, + 22 V 2.38 V 75.6 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 57 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 10.5 A 313 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 20.3 nC - 55 C + 150 C 56 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 10.5 A 313 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 20.3 nC - 55 C + 150 C 56 W Enhancement MaxSIC