Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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AEC-Q101 Automotive MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 Automotive MOSFETs provide wide drive type and support from a small signal to high power. These ROHM Semiconductor MOSFETs are available in a wide range of microminiature packages and help reduce the board space. The AEC-Q101 MOSFETs are automotive-supported products and are based on standard AEC-Q101. These MOSFETs offer high-speed switching and low on-resistance. The AEC-Q101 MOSFETs are available in single and dual polarities and provide a drain-source voltage ranging from -100V_DSS to 100V_DSS. These MOSFETs offer a drain-current ranging from -25A to 40A and R_DS(on) ranging from 0.004Ω to 3Ω (typical). The AEC-Q101 MOSFETs provide a total gate charge of 2nC to 80nC.

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Resultados: 119

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 250V 8A N-CH MOSFET

RD3U080AAFRATL
ROHM Semiconductor
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RD3U080AAFRATL

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755-RD3U080AAFRATL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 250V 8A N-CH MOSFET

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$ 2.506,14

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SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

250 V

8 A

300 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 190V(Vdss), 10.0A(Id), (10V Drive)

RD3S100AAFRATL
ROHM Semiconductor
1: $ 5.962,32
2.856En existencias

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RD3S100AAFRATL

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755-RD3S100AAFRATL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 190V(Vdss), 10.0A(Id), (10V Drive)

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$ 5.962,32

$ 3.914,82

$ 2.735,46

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Envase tipo carrete

$ 2.014,74

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SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

190 V

10 A

182 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

52 nC

- 55 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 3.5A Small Signal MOSFET

RSQ035N03HZGTR
ROHM Semiconductor
1: $ 1.359,54
6.231En existencias

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RSQ035N03HZGTR

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755-RSQ035N03HZGTR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 3.5A Small Signal MOSFET

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$ 781,33

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$ 553,64

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$ 425,88

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SMD/SMT

SOT-457T-6

N-Channel

1 Channel

30 V

3.5 A

62 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT346 P-CH 20V 3A

RTR030P02HZGTL
ROHM Semiconductor
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RTR030P02HZGTL

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755-RTR030P02HZGTL

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT346 P-CH 20V 3A

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$ 817,36

$ 679,77

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$ 486,49

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SMD/SMT

SOT-346T-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3 A

75 mOhms

- 12 V, 12 V

2 V

9.3 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -45V Vdss -16A TO-252(DPAK); TO-252

RD3H160SPFRATL
ROHM Semiconductor
1: $ 3.407,04
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RD3H160SPFRATL

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755-RD3H160SPFRATL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -45V Vdss -16A TO-252(DPAK); TO-252

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SMD/SMT

TO-252-3

P-Channel

1 Channel

45 V

16 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vdss 10A ID TO-252(DPAK); TO-252

RD3P100SNFRATL
ROHM Semiconductor
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RD3P100SNFRATL

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755-RD3P100SNFRATL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vdss 10A ID TO-252(DPAK); TO-252

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$ 1.031,94

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TO-252-3

N-Channel

1 Channel

100 V

10 A

133 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Pch -30V -3.5A, DriveVoltage:-4 SOT457T

RSQ035P03HZGTR
ROHM Semiconductor
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RSQ035P03HZGTR

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755-RSQ035P03HZGTR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Pch -30V -3.5A, DriveVoltage:-4 SOT457T

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$ 637,18

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$ 497,95

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SMD/SMT

SOT-457T-6

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1 Channel

30 V

3.5 A

65 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

9.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -60V Vdss -14A TO-252(DPAK); TO-252

RD3L140SPFRATL
ROHM Semiconductor
1: $ 3.521,70
8.343En existencias

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RD3L140SPFRATL

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755-RD3L140SPFRATL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -60V Vdss -14A TO-252(DPAK); TO-252

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$ 1.007,37

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TO-252-3

P-Channel

1 Channel

60 V

14 A

84 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 3.5A Small Signal MOSFET

RTQ035N03HZGTR
ROHM Semiconductor
1: $ 1.769,04
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RTQ035N03HZGTR

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755-RTQ035N03HZGTR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 3.5A Small Signal MOSFET

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$ 558,56

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$ 437,35

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SOT-457T-6

N-Channel

1 Channel

30 V

3.5 A

54 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

4.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT346 N-CH 45V 3A

RTR030N05HZGTL
ROHM Semiconductor
1: $ 1.998,36
9.784En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RTR030N05HZGTL

N.º de artículo de Mouser
755-RTR030N05HZGTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT346 N-CH 45V 3A

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Cinta cortada

$ 1.998,36

$ 1.254,71

$ 827,19

$ 642,10

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$ 460,28

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SMD/SMT

SOT-346T-3

N-Channel

1 Channel

45 V

3 A

67 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

6.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V Vdss 20A ID TO-263(D2PAK); LPTS

R6020PNJFRATL
ROHM Semiconductor
1: $ 10.941,84
783En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6020PNJFRATL

N.º de artículo de Mouser
755-R6020PNJFRATL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V Vdss 20A ID TO-263(D2PAK); LPTS

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783En existencias

Cinta cortada

$ 10.941,84

$ 7.387,38

$ 6.502,86

$ 6.158,88

Envase tipo carrete

$ 5.307,12

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

65 nC

- 55 C

+ 150 C

304 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vdss 20A ID TO-252(DPAK); TO-252

RD3P200SNFRATL
ROHM Semiconductor
1: $ 4.914,00
2.564En existencias

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RD3P200SNFRATL

N.º de artículo de Mouser
755-RD3P200SNFRATL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vdss 20A ID TO-252(DPAK); TO-252

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$ 4.914,00

$ 3.095,82

$ 2.571,66

$ 2.424,24

$ 2.244,06

Envase tipo carrete

$ 1.965,60

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SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

100 V

20 A

46 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Pch -100V -1.5A, DriveVoltage:-4 SOT457T

RSQ015P10HZGTR
ROHM Semiconductor
1: $ 1.687,14
9.503En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RSQ015P10HZGTR

N.º de artículo de Mouser
755-RSQ015P10HZGTR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Pch -100V -1.5A, DriveVoltage:-4 SOT457T

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9.503En existencias

Cinta cortada

$ 1.687,14

$ 1.182,64

$ 809,17

$ 627,35

Envase tipo carrete

$ 466,83

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SMD/SMT

SOT-457T-6

P-Channel

1 Channel

100 V

1.5 A

470 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Nch 30V 2.5A Small Signal MOSFET

RSR025N03HZGTL
ROHM Semiconductor
1: $ 1.392,30
9.303En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RSR025N03HZGTL

N.º de artículo de Mouser
755-RSR025N03HZGTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Nch 30V 2.5A Small Signal MOSFET

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Cinta cortada

$ 1.392,30

$ 853,40

$ 604,42

$ 463,55

Envase tipo carrete

$ 355,45

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SMD/SMT

SOT-346T-3

N-Channel

1 Channel

30 V

2.5 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 2.5A Small Signal MOSFET

RTR025N03HZGTL
ROHM Semiconductor
1: $ 1.457,82
11.347En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RTR025N03HZGTL

N.º de artículo de Mouser
755-RTR025N03HZGTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 2.5A Small Signal MOSFET

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11.347En existencias

Cinta cortada

$ 1.457,82

$ 837,02

$ 602,78

$ 463,55

Envase tipo carrete

$ 319,41

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

SOT-346T-3

N-Channel

1 Channel

30 V

2.5 A

92 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

3.3 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Pch 100V Vds 3A 0.135Rds(on) 8.5Qg

SP8M51FRATB
ROHM Semiconductor
1: $ 4.127,76
24.098En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SP8M51FRATB

N.º de artículo de Mouser
755-SP8M51FRATB

NRND

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Pch 100V Vds 3A 0.135Rds(on) 8.5Qg

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Cinta cortada

$ 4.127,76

$ 2.735,46

$ 1.867,32

$ 1.549,55

Envase tipo carrete

$ 1.218,67

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Carrete: 2.500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

100 V

3 A, 2.5 A

170 mOhms, 290 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V, 2.5 V

8.5 nC, 12.5 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT346 N-CH 45V 2.5A

RSR025N05TL
ROHM Semiconductor
1: $ 1.736,28
2.630En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RSR025N05TL

N.º de artículo de Mouser
755-RSR025N05TL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT346 N-CH 45V 2.5A

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2.630En existencias

Cinta cortada

$ 1.736,28

$ 1.328,42

$ 879,61

$ 691,24

Envase tipo carrete

$ 542,18

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Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

SOT-346T-3

N-Channel

1 Channel

45 V

2.5 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

3.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 800V Vdss 5A ID TO-263(D2PAK); LPTS

R8005ANJFRGTL
ROHM Semiconductor
1: $ 3.619,98
1.008En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R8005ANJFRGTL

N.º de artículo de Mouser
755-R8005ANJFRGTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 800V Vdss 5A ID TO-263(D2PAK); LPTS

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Comentarios de Producto

1.008En existencias

Cinta cortada

$ 3.619,98

$ 3.063,06

$ 2.899,26

$ 2.620,80

Envase tipo carrete

$ 2.358,72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

TO-263S-3

N-Channel

1 Channel

800 V

5 A

2.1 Ohms

- 30 V, 30 V

5 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

120 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vdss 40A ID TO-263(D2PAK); LPTS

RSJ400N10FRATL
ROHM Semiconductor
1: $ 5.929,56
698En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RSJ400N10FRATL

N.º de artículo de Mouser
755-RSJ400N10FRATL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vdss 40A ID TO-263(D2PAK); LPTS

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40 A

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2.5 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 45V Vdss 20A ID TO-252(DPAK); TO-252

RD3H200SNFRATL
ROHM Semiconductor
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1 Channel

45 V

20 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vds 30A 0.036Rds(on) 60Qg

RSJ301N10FRATL
ROHM Semiconductor
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755-RSJ301N10FRATL

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RTR025N05HZGTL
ROHM Semiconductor
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RVQ040N05HZGTR
ROHM Semiconductor
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RVQ040N05HZGTR

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SOT-457T-6

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45 V

4 A

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- 21 V, 21 V

2.5 V

6.3 nC

- 55 C

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vdss 17.5A TO-252(DPAK); TO-252

RD3P175SNFRATL
ROHM Semiconductor
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RD3P175SNFRATL

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755-RD3P175SNFRATL

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SMD/SMT

TO-252-3

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100 V

17.5 A

105 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT346 P-CH 30V 2.5A

RSR025P03HZGTL
ROHM Semiconductor
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RSR025P03HZGTL

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755-RSR025P03HZGTL

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SMD/SMT

SC-96-3

P-Channel

1 Channel

30 V

2.5 A

98 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

5.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

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AEC-Q101

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AEC-Q101 Automotive MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

DFN-1006-3
DFN-8
HPLF-5
HSMT-8AG
SC-96-3
SMT3-3
SOP-8
SOT-23-3
SOT-323-3
SOT-323T-3
SOT-346-3
SOT-346T-3
SOT-363-6
SOT-363T-6
SOT-457T-6
TO-252-3
TO-263-3
TO-263S-3
TUMT-6
UMT-3

200 mA
250 mA
300 mA
500 mA
1 A
1.4 A
1.5 A
1.6 A
2 A
2.5 A
3 A
3 A, 2.5 A
3.5 A
4 A
4.5 A
4.5 A, 3.5 A
5 A
5 A, 3.5 A
6 A
6 A, 4 A

1.4 mOhms
2.3 mOhms
3.3 mOhms
4.1 mOhms
4.2 mOhms
4.4 mOhms
4.5 mOhms
5.3 mOhms
5.5 mOhms
7.5 mOhms
9.3 mOhms
12 mOhms, 20 mOhms
13.1 mOhms
13.3 mOhms
13.5 mOhms
16 mOhms
16.8 mOhms
18 mOhms
24 mOhms
25 mOhms

2 nC
2.2 nC
2.3 nC
2.7 nC
2.9 nC
3 nC
3.2 nC
3.3 nC
3.5 nC
3.6 nC
3.7 nC
3.9 nC
3.9 nC, 5.5 nC
4.4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.9 nC
5 nC
5.2 nC
5.3 nC

150 mW
200 mW
350 mW
600 mW
800 mW
1 W
1.25 W
2 W
15 W
20 W
50 W
53 W
62 W
69 W
75 W
76 W
77 W
85 W
96 W
120 W