Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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IPP60R099C7XKSA1
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CoolMOS

Tube

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IPZ60R017C7XKSA1
Infineon Technologies
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206En existencias

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IPZ60R017C7XKSA1

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600 V

109 A

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240 nC

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+ 150 C

446 W

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CoolMOS

Tube

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IPA60R180C7XKSA1
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1: $ 5.225,22
370En existencias

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IPA60R180C7XKSA1

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$ 5.225,22

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TO-220-3

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600 V

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+ 150 C

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IPW60R099C7XKSA1
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1: $ 9.533,16
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IPW60R099C7XKSA1

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726-IPW60R099C7XKSA1

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$ 9.533,16

$ 5.405,40

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110 W

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Tube

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IPW60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 6.617,52
219En existencias

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IPW60R180C7XKSA1

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726-IPW60R180C7XKSA1

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$ 6.617,52

$ 3.652,74

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TO-247-3

N-Channel

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600 V

13 A

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+ 150 C

68 W

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CoolMOS

Tube

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IPZ60R099C7XKSA1
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1: $ 9.795,24
26En existencias

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IPZ60R099C7XKSA1

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726-IPZ60R099C7XKSA1

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TO-247-4

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600 V

22 A

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IPA60R099C7XKSA1
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1: $ 8.665,02
396En existencias

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IPA60R099C7XKSA1

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726-IPA60R099C7XKSA1

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$ 8.665,02

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N-Channel

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650 V

12 A

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500Se espera el 19/3/2026

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IPP60R120C7XKSA1

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726-IPP60R120C7XKSA1

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83En existencias

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

120 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

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CoolMOS

Tube

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IPP60R180C7XKSA1
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376En existencias
500Se espera el 10/9/2026

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IPP60R180C7XKSA1

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726-IPP60R180C7XKSA1

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376En existencias

500Se espera el 10/9/2026

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$ 2.375,10

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N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

155 mOhms

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3 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

68 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPW60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
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240Se espera el 6/3/2026

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IPW60R060C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R060C7XKSA1

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240Se espera el 6/3/2026

$ 12.153,96

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$ 6.715,80

Min.: 1
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TO-247-3

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1 Channel

600 V

35 A

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68 nC

- 55 C

+ 150 C

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CoolMOS

Tube

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IPW60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
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223En existencias

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IPW60R120C7XKSA1

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IPL60R065C7AUMA1
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