REXFET-1 100V & 150V Power MOSFETs

Renesas Electronics REXFET-1 100V and 150V Power MOSFETs implement split-gate technology, which significantly reduces the on-resistance RDSON and Figure of Merit, ideal for high-current applications. The devices are available in TOLL (TO-Leadless), TOLG (TO Leaded Gullwing), and TOLT (TO top-side cooled) packages for exceptional thermal performance and maximum power capability. Additionally, the MOSFETs feature wettable flank packaging for excellent solder joint performance. The REXFET-1 MOSFETs are AEC-Q100 qualified with PPAP support for automotive applications.

Resultados: 32
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (ARS) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 150V 3.4mohm TOLT
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924En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.300

Si SMD/SMT N-Channel 150 V 200 A 3.4 mOhms 4 V 96 nC Enhancement RB Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 100V 300A 1.5mohm TOLG
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1.199En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.500

SMD/SMT TOLG-8 N-Channel 1 Channel 100 V 340 A 1.5 mOhms 170 nC RX Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 100V 300A 1.5mohm TOLL
Hoja de datos
1.592En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 100 V 340 A 1.5 mOhms 170 nC SmartBond Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 2.9mohm 5x6pkg
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3.852En existencias
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT SO8-FL N-Channel 100 V 160 A 2.9 mOhms 4 V 90 nC Enhancement SmartBond Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 150V 3.4mohm TOLT
Hoja de datos
1.040En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.300

Si SMD/SMT N-Channel 150 V 200 A 3.4 mOhms 4 V 96 nC Enhancement SmartBond Reel, Cut Tape, MouseReel


Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 100V 300A 1.5mohm TOLL
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1.511En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

RB Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 100V 300A 1.5mohm TOLG
Hoja de datos
1.110En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

RB Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 2.9mohm 5x6pkg
Hoja de datos
5.000Se espera el 2/4/2026
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SO8-FL N-Channel 100 V 160 A 2.9 mOhms 4 V 90 nC Enhancement RB Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 150V 3.4mohm TOLL
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1.995Se espera el 1/6/2026
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Min.: 1
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Si SMD/SMT N-Channel 150 V 200 A 3.4 mOhms 4 V 96 nC Enhancement RB Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 150V 3.4mohm TOLL
Hoja de datos
2.000Se espera el 1/6/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
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Si SMD/SMT N-Channel 150 V 200 A 3.4 mOhms 4 V 96 nC Enhancement SmartBond Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg
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3.000Se espera el 10/3/2026
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Min.: 1
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Si SMD/SMT uSO8-FL N-Channel 100 V 40 A 11.1 mOhms 4 V 28 nC Enhancement RB Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg
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3.000Se espera el 26/2/2026
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Min.: 1
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Si SMD/SMT uSO8-FL N-Channel 100 V 40 A 11.1 mOhms 4 V 28 nC Enhancement RB Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 3.7mohm 5x6pkg
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 5.000
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GaN SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 3.7 mOhms 4 V 80 nC Enhancement RB Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 6.7mohm 5x6pkg
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
Carrete: 5.000

GaN SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 6.7 mOhms 4 V 43 nC Enhancement RB Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 21mohm 3x3pkg
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

GaN SMD/SMT uSO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 20 A 21 mOhms 4 V 18 nC Enhancement RB Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Carrete: 2.000

GaN SMD/SMT TOLL N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.9 mOhms 4 V 76 nC Enhancement RB Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1.300
Mult.: 1.300
Carrete: 1.300

GaN SMD/SMT TOLT N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.9 mOhms 4 V 76 nC Enhancement RB Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 1.2mohm TOLT
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1.300
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Carrete: 1.300

RB Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 1.2mohm TOLL Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
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RB Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 1.5 mohm TOLT
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1.300
Mult.: 1.300
Carrete: 1.300

RB Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 1.9mohm TOLT
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1.300
Mult.: 1.300
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RB Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 1.9mohm TOLL
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 2.000
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RB Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 1.2mohm TOLT
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1.300
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RX Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 1.2mohm TOLL Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Carrete: 2.000

RX Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 1.5 mohm TOLT
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1.300
Mult.: 1.300
Carrete: 1.300

RX Reel